內(nèi)部目檢的判據(jù)由相應(yīng)產(chǎn)品的參照標(biāo)準(zhǔn)和詳細(xì)規(guī)范規(guī)定
發(fā)布時(shí)間:2019/5/21 21:51:45 訪問(wèn)次數(shù):3112
內(nèi)部目檢的判據(jù)由相應(yīng)產(chǎn)品的參照標(biāo)準(zhǔn)和詳細(xì)規(guī)范規(guī)定,若產(chǎn)品參照標(biāo)準(zhǔn)和詳細(xì)規(guī)范不一致,以產(chǎn)品詳細(xì)規(guī)范為準(zhǔn)。由于元件類(lèi)產(chǎn)品門(mén)類(lèi)較多, D1216AJTA-4B-E且不同門(mén)類(lèi)產(chǎn)品參照標(biāo)準(zhǔn)均不一致,本書(shū)不做詳細(xì)描述。器件類(lèi)產(chǎn)品內(nèi)部目檢主要參照GJB548和GJB128。
GJB548主要針對(duì)微電子器件。其中方法⒛10中規(guī)定了集成電路(單芯片)內(nèi)部目檢的判據(jù)要求;方法2013規(guī)定了破壞性物理分析(DPA)程序中內(nèi)部目檢的判據(jù)要求;方法2014規(guī)定了不符合材料、設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)詳細(xì)要求的器件應(yīng)視為失效;方法2017規(guī)定了混合集成電路內(nèi)部目檢的判據(jù)要求;方法⒛32規(guī)定了無(wú)源元件內(nèi)部目檢的判據(jù)要求。GJB128主要針對(duì)半導(dǎo)體分立器件。其中方法⒛”規(guī)定了晶體管內(nèi)部目檢(封帽前)的判據(jù)要求;方法⒛73規(guī)定了芯片目檢(半導(dǎo)體二極管)的判據(jù)要求;方法⒛〃規(guī)定了內(nèi)部目檢(半導(dǎo)體二極管)的判據(jù)要求;方法⒛75規(guī)定了開(kāi)帽內(nèi)部設(shè)計(jì)目檢的判據(jù)要求。
內(nèi)部目檢的判據(jù)由相應(yīng)產(chǎn)品的參照標(biāo)準(zhǔn)和詳細(xì)規(guī)范規(guī)定,若產(chǎn)品參照標(biāo)準(zhǔn)和詳細(xì)規(guī)范不一致,以產(chǎn)品詳細(xì)規(guī)范為準(zhǔn)。由于元件類(lèi)產(chǎn)品門(mén)類(lèi)較多, D1216AJTA-4B-E且不同門(mén)類(lèi)產(chǎn)品參照標(biāo)準(zhǔn)均不一致,本書(shū)不做詳細(xì)描述。器件類(lèi)產(chǎn)品內(nèi)部目檢主要參照GJB548和GJB128。
GJB548主要針對(duì)微電子器件。其中方法⒛10中規(guī)定了集成電路(單芯片)內(nèi)部目檢的判據(jù)要求;方法2013規(guī)定了破壞性物理分析(DPA)程序中內(nèi)部目檢的判據(jù)要求;方法2014規(guī)定了不符合材料、設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)詳細(xì)要求的器件應(yīng)視為失效;方法2017規(guī)定了混合集成電路內(nèi)部目檢的判據(jù)要求;方法⒛32規(guī)定了無(wú)源元件內(nèi)部目檢的判據(jù)要求。GJB128主要針對(duì)半導(dǎo)體分立器件。其中方法⒛”規(guī)定了晶體管內(nèi)部目檢(封帽前)的判據(jù)要求;方法⒛73規(guī)定了芯片目檢(半導(dǎo)體二極管)的判據(jù)要求;方法⒛〃規(guī)定了內(nèi)部目檢(半導(dǎo)體二極管)的判據(jù)要求;方法⒛75規(guī)定了開(kāi)帽內(nèi)部設(shè)計(jì)目檢的判據(jù)要求。
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 選擇芯片
- 與質(zhì)量一致性檢驗(yàn)的關(guān)系
- 同樣功耗下使用低壓大電流比高壓小電流要安全得
- 對(duì)標(biāo)硅的理解
- 制樣鏡檢適用性的拓展
- 塑封器件定位標(biāo)識(shí)
- 樣品檢查一般要求
- 航天器的空間熱環(huán)境主要是指冷黑和太陽(yáng)輻照環(huán)境
- 內(nèi)部目檢的判據(jù)由相應(yīng)產(chǎn)品的參照標(biāo)準(zhǔn)和詳細(xì)規(guī)范
- 露點(diǎn)溫度測(cè)試法
推薦技術(shù)資料
- 驅(qū)動(dòng)板的原理分析
- 先來(lái)看看原理圖。圖8所示為底板及其驅(qū)動(dòng)示意圖,F(xiàn)M08... [詳細(xì)]
- Arm Cortex-M33
- 功率MOSFET和電感器降壓模
- BGATE驅(qū)動(dòng)N溝道MOSFE
- 升降壓充電管理芯片
- 新產(chǎn)品MPQ6539-AEC1
- MOSFET (HS-FET)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究