走線電感產(chǎn)生電壓失調(diào)導(dǎo)致電磁干擾
發(fā)布時(shí)間:2020/11/4 22:32:11 訪問次數(shù):1084
在設(shè)備絕緣評(píng)估方面,采用模糊層次分析法作為評(píng)價(jià)方法框架,解決了評(píng)價(jià)指標(biāo)權(quán)重的設(shè)置和隸屬度的確定問題,建立了GIS設(shè)備絕緣狀態(tài)的多類信息融合評(píng)價(jià)模型;基于模糊理論和證據(jù)理論的變壓器狀態(tài)評(píng)估方法;一種基于半梯形模型和模糊理論相結(jié)合的油浸式電力變壓器運(yùn)行狀態(tài)的評(píng)估策略;一種基于模糊層次分析法的變壓器狀態(tài)評(píng)估方法。
實(shí)現(xiàn)硬件推理是智能設(shè)備和智能電網(wǎng)建設(shè)發(fā)展的基礎(chǔ)之一,將傳統(tǒng)的軟件模糊推理過程實(shí)現(xiàn)硬件模塊化,得出了推理速度高于傳統(tǒng)軟件推理的結(jié)論;在DSP上實(shí)現(xiàn)和優(yōu)化模糊推理系統(tǒng),實(shí)驗(yàn)證明在硬件上推理結(jié)果和軟件推理一致。
制造商:Cypress Semiconductor產(chǎn)品種類:NOR閃存RoHS: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-8系列:存儲(chǔ)容量:32 Mbit電源電壓-最小:2.7 V電源電壓-最大:3.6 V有源讀取電流(最大值):25 mA接口類型:SPI最大時(shí)鐘頻率:108 MHz組織:4 M x 8數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit定時(shí)類型:Synchronous最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 105 C封裝:Tray存儲(chǔ)類型:NOR速度:108 MHz結(jié)構(gòu):Floating Gate商標(biāo):Cypress Semiconductor電源電流—最大值:25 mA濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:NOR Flash490子類別:Memory & Data Storage單位重量:73.872 mg
作為在線監(jiān)測系統(tǒng)的基本部件之一,基于DSP完成高壓容性設(shè)備絕緣性能在線監(jiān)測裝置設(shè)計(jì),同時(shí)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)分析和硬件推理,基于層次分析法的多參量模糊綜合評(píng)價(jià)算法現(xiàn)場評(píng)估設(shè)備絕緣情況。
在電動(dòng)汽車應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中選擇 CISSOID 三相全橋 1200V SiC MOSFET 智能功率模塊(IPM)體系所帶來的益處,尤其表現(xiàn)在該體系是一個(gè)可擴(kuò)展的平臺(tái)系列。體系利用了低內(nèi)耗技術(shù),提供了一種已整合的解決方案,即 IPM;IPM 由門極驅(qū)動(dòng)電路和三相全橋水冷式碳化硅功率模塊組成,兩者的配合已經(jīng)過優(yōu)化和協(xié)調(diào)。
IPM 的電氣和散熱特性,還討論了 IPM 如何實(shí)現(xiàn) SiC 器件優(yōu)勢的充分利用,及其中最為關(guān)鍵的因素,即使門極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)及 SiC 功率電路驅(qū)動(dòng)安全、可靠地實(shí)現(xiàn)。
(素材來源:chinaaet和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
在設(shè)備絕緣評(píng)估方面,采用模糊層次分析法作為評(píng)價(jià)方法框架,解決了評(píng)價(jià)指標(biāo)權(quán)重的設(shè)置和隸屬度的確定問題,建立了GIS設(shè)備絕緣狀態(tài)的多類信息融合評(píng)價(jià)模型;基于模糊理論和證據(jù)理論的變壓器狀態(tài)評(píng)估方法;一種基于半梯形模型和模糊理論相結(jié)合的油浸式電力變壓器運(yùn)行狀態(tài)的評(píng)估策略;一種基于模糊層次分析法的變壓器狀態(tài)評(píng)估方法。
實(shí)現(xiàn)硬件推理是智能設(shè)備和智能電網(wǎng)建設(shè)發(fā)展的基礎(chǔ)之一,將傳統(tǒng)的軟件模糊推理過程實(shí)現(xiàn)硬件模塊化,得出了推理速度高于傳統(tǒng)軟件推理的結(jié)論;在DSP上實(shí)現(xiàn)和優(yōu)化模糊推理系統(tǒng),實(shí)驗(yàn)證明在硬件上推理結(jié)果和軟件推理一致。
制造商:Cypress Semiconductor產(chǎn)品種類:NOR閃存RoHS: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-8系列:存儲(chǔ)容量:32 Mbit電源電壓-最小:2.7 V電源電壓-最大:3.6 V有源讀取電流(最大值):25 mA接口類型:SPI最大時(shí)鐘頻率:108 MHz組織:4 M x 8數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit定時(shí)類型:Synchronous最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 105 C封裝:Tray存儲(chǔ)類型:NOR速度:108 MHz結(jié)構(gòu):Floating Gate商標(biāo):Cypress Semiconductor電源電流—最大值:25 mA濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:NOR Flash490子類別:Memory & Data Storage單位重量:73.872 mg
作為在線監(jiān)測系統(tǒng)的基本部件之一,基于DSP完成高壓容性設(shè)備絕緣性能在線監(jiān)測裝置設(shè)計(jì),同時(shí)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)分析和硬件推理,基于層次分析法的多參量模糊綜合評(píng)價(jià)算法現(xiàn)場評(píng)估設(shè)備絕緣情況。
在電動(dòng)汽車應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中選擇 CISSOID 三相全橋 1200V SiC MOSFET 智能功率模塊(IPM)體系所帶來的益處,尤其表現(xiàn)在該體系是一個(gè)可擴(kuò)展的平臺(tái)系列。體系利用了低內(nèi)耗技術(shù),提供了一種已整合的解決方案,即 IPM;IPM 由門極驅(qū)動(dòng)電路和三相全橋水冷式碳化硅功率模塊組成,兩者的配合已經(jīng)過優(yōu)化和協(xié)調(diào)。
IPM 的電氣和散熱特性,還討論了 IPM 如何實(shí)現(xiàn) SiC 器件優(yōu)勢的充分利用,及其中最為關(guān)鍵的因素,即使門極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)及 SiC 功率電路驅(qū)動(dòng)安全、可靠地實(shí)現(xiàn)。
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