集成電路版圖設(shè)計通常是由集成電路中晶體管版圖開始的，而該晶體管版圖通常是最小面積晶體管的版圖。因此，掌握什么是最小面積晶體管，其版圖是如何確定的非常重要。另外，掌握集成電路制造中常用的各種晶體管版圖及其對應(yīng)的工藝剖面結(jié)構(gòu)也是十分重要的。最小面積晶體管--由圖形最小尺寸（圖形最小線寬和圖形最小間距）構(gòu)成的晶體管。

如圖18.21（p.356）所示的最小面積晶體管，隔離框內(nèi)管芯面積為6064μm2，如果槽寬為10μm，則每個最小晶體管所需隔離槽面積為3800μm2，每條隔離槽為兩相鄰隔離島共用，所以每個最小面積晶體管所需的隔離槽面積為1900 μm2 ，大約為內(nèi)管芯面積的1/3～l/4。
351頁，18.2.2節(jié)5. 雙極型ic中元件的圖形設(shè)計
按標(biāo)準(zhǔn)pn結(jié)隔離工藝制作的縱向npn管的縱向結(jié)構(gòu)和雜質(zhì)分布如圖a所示。圖中作為集電區(qū)的外延層摻雜濃度由晶體管的vcb0和vce0所決定，外延層電阻率是決定晶體管集電結(jié)勢壘電容cc、硼擴(kuò)電阻分布電容和隔離襯底結(jié)寄生電容ccs的重要因素，對電路速度影響較大的ccs部分地由襯底電阻率決定。埋層的薄層電阻和埋層擴(kuò)散深度直接影響到集電極串聯(lián)電阻rcs。由發(fā)射區(qū)擴(kuò)散和基區(qū)擴(kuò)散決定了電流放大系數(shù)和特征頻率。