1) ic對晶體管的要求
如同分立晶體管一樣，集成晶體管必須具有一定的耐壓，有良好的頻率特性，具有較低的噪聲系數(shù)，能承受一定的電流容量，具有低的rcs和vces，這些參數(shù)的設計考慮與分立晶體管有一定的類似。但由于集成晶體管的集電極必須從上面引出，這就使rcs顯著增大。同時集成晶體管的集電極被pn結包圍，又存在著寄生電容和寄生pnp效應，所以在分析集成晶體管特性時，必須考慮這些特性。
（1）擊穿電壓 v(br)
v(br)ebo≈6~9v，v(br)cbo， v(br)ceo
v(br)cso> v(br)cbo，v(br)ceo

（2）頻率特性
(3) 最大工作電流iemax或icmax
當ie 達到iemax(或相應的icmax 值)時，β就會下降。晶體管在大電流下工作時，基極電流也較大�；鶚O電流在橫向基區(qū)擴展電阻上產(chǎn)生一個較大的電壓降，其結果是：發(fā)射結不同部位上的正偏壓值不相等。愈靠近中央部位，發(fā)射結正偏壓越小，甚至可能反向�？拷鶚O接觸的發(fā)射結部位，正偏壓較大。因此，發(fā)射極電流密度在中央部位小，電流基本上集中在發(fā)射結邊緣。基極電流很大時，發(fā)射結的有效面積集中在結的邊緣。這種現(xiàn)象叫做發(fā)射極電流集邊效應，或者叫基區(qū)自偏壓效應。當晶體管的工作頻率與ft，很接近，故基極電流很大，約等于發(fā)射極電流，此時電流集邊效應最顯著，晶體管發(fā)射結的有效面積顯著減小。

為了盡量減小晶體管的發(fā)射結無效面積，提高晶體管的高頻性能，在設計高頻晶體管時，發(fā)射結周長要盡可能大，面積要盡可能小，即兩者之比要盡可能大。iemax(或相應的icmax 值)只和靠近基極條一邊的發(fā)射區(qū)周長（即“有效發(fā)射區(qū)周長”）成正比，而與發(fā)射區(qū)面積無關，即iemax=α×le，其中α為發(fā)射區(qū)單位有效周長的最大工作電流。不同電路取α值是不同的：
αnpn邏輯 = 0.16~0.4ma/μm
αnpn線性 =0.04~0.16 ma/μm
α橫向pnp = 0.001~0.008 ma/μm
α縱向pnp = 0.005~0.015 ma/μm