減薄的工序通常介于晶片分揀和劃片工序之間。晶圓被減薄到100 ht,m左右的厚度1，TMS320DM6437ZWT6此處使用在晶圓制備階段研磨晶圓時(shí)用的相同工藝（機(jī)械研磨和化學(xué)機(jī)械拋光），芯片倒裝焊封裝也要求晶圓減薄。

   晶圓減薄是個(gè)令人頭疼的工序。在背面研磨時(shí)，可能會(huì)劃傷晶片的正面和導(dǎo)致晶片破碎。、由于晶圓要被壓緊到研磨機(jī)表面或拋光平面上，晶圓的正面一定要被保護(hù)起來，晶圓一日被磨薄就變得易碎。在背面刻蝕中，同樣要求將晶圓正面保護(hù)起來防止刻蝕劑的侵蝕。這種保護(hù)可以通過在晶圓正面涂一層較厚的光刻膠來實(shí)現(xiàn)。其他方法包括在晶圓正面黏一層與晶圓大小尺寸相同的，背面有膠的聚合膜。必須控制在研磨一拋光工藝中產(chǎn)生的應(yīng)力以防止晶圓或芯片在應(yīng)力下的彎曲變形。晶圓的彎曲變形會(huì)影響劃片工序（芯片破碎和裂痕）。芯片的變形會(huì)在封裝工序產(chǎn)生問題。

   背面鍍金：晶圓制造中的另一個(gè)可選的工序是在晶圓背面鍍金。對(duì)計(jì)劃用共晶焊技術(shù)（見18.4.5節(jié)）將芯片黏結(jié)到封裝體中的晶圓上，其背面需要鍍金層。此鍍金層通常在晶圓造廠以蒸發(fā)或?yàn)R射的工藝來完成（在背面研磨后）。