HP公司提供的資料表明：有限的AT697E-2H-SV電氣接觸已經(jīng)開(kāi)始成為在線測(cè)試的一個(gè)最大技術(shù)挑戰(zhàn)。隨著SMT向精細(xì)化方向發(fā)展，SMC/SMD本身的體積越來(lái)越小，引腳和走線越來(lái)越密，這些因素使得組件板尺寸越來(lái)越小，從而增加了電氣接觸的難度，降低了測(cè)試點(diǎn)的覆蓋率。增加附加的測(cè)試點(diǎn)對(duì)產(chǎn)品的最終增值沒(méi)有什么作用，相反為了實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的微型反而會(huì)逐漸減少測(cè)試點(diǎn)，這樣也會(huì)導(dǎo)致測(cè)試時(shí)的電氣接觸更加困難。
    電氣測(cè)試的另外一種挑戰(zhàn)是來(lái)自甚高頻電路，當(dāng)頻率超過(guò)1GHz時(shí)，即使能進(jìn)行電氣接觸，元器件的一些參數(shù)值在甚高頻下將變得很小，測(cè)量起來(lái)非常困難，甚至測(cè)試點(diǎn)在甚高頻下自身也變成了小型發(fā)射天線，影響測(cè)量。但SMT大生產(chǎn)中的各種缺陷，工藝缺陷要占總?cè)毕莸?0%～90%，因此加強(qiáng)SMT生產(chǎn)過(guò)程中每道工序的監(jiān)控，包括元器件可焊性、PCB可焊性、錫膏的印刷質(zhì)量、貼片精度，爐溫的控制等，并用AOI手段進(jìn)行監(jiān)控，嚴(yán)格工藝管理將會(huì)使故障率大大下降。在剩下不多的故障中，采用X光測(cè)試技術(shù)與ICT測(cè)試技術(shù)并用，以做到相互補(bǔ)償，并稱為Awave Test測(cè)試技術(shù)，將是SMA測(cè)試的方向。
    壺碑現(xiàn)象的產(chǎn)生與解決辦法
    再流焊中，片式元器件經(jīng)常出現(xiàn)立起的現(xiàn)象，稱之為立碑，又稱為吊橋、曼哈頓現(xiàn)象，如圖15.90所示。同樣一種焊接缺陷，出現(xiàn)這么多的名稱，可見(jiàn)這種缺陷經(jīng)常發(fā)生并受到人們的重視。
    立碑現(xiàn)象發(fā)生的根本原因是元器件兩邊的潤(rùn)濕力不平衡，因而元器件兩端的力矩也不平衡，從而導(dǎo)致立碑現(xiàn)象的發(fā)生，如圖15.91所示。若Mi>M2，元器件將向左側(cè)立起；若Mi <M2，元器件將向右側(cè)立起。