晶圓級CSP (WL-CSP)
發(fā)布時間:2014/5/29 20:18:42 訪問次數(shù):1670
晶圓級CSP簡稱WL-CSP( Wafer-Level Chip Size Package),主要應(yīng)用于便攜式消費(fèi)類電子產(chǎn)品,S595TR-GS08如攝錄放影機(jī)、移動電話、數(shù)字相機(jī)、攜帶式影音設(shè)備、掌上型電腦、筆記本電腦等。
圖21-25是超細(xì)間距與典型250pm間距錫球的比較,圖21-26是晶圓級CSP (WL-CSP)器件舉例。
圖21-25倒裝芯片(左)的超細(xì)50Um間距與 圖21-26晶圓級CSP (WL-CSP)器件WL-CSP(右)典型250Um間距錫球的比較
晶圓級封裝WLP
晶圓級封裝WLP( Wafer Level Processing)的一般定義為直接在晶圓上進(jìn)行大多數(shù)或是全部的封裝與測試程序,之后再進(jìn)行切割制成單顆器件。一般可采用凸點(diǎn)( Bumping)技術(shù)作為其I/O電極。所謂Bumping技術(shù),就是應(yīng)用SMT的高精度、窄間距印刷焊膏技術(shù),然后通過再流焊技術(shù),直接在晶圓上制作凸點(diǎn)(電極)的封裝技術(shù)。圖21-27 (a)是已經(jīng)制作電路的晶圓(Wafer),圖21-27 (b)是已經(jīng)切割制成單顆器件的晶圓級封裝(WLP)。WLP封裝具有封裝尺寸轅小與電性能較佳的優(yōu)勢,目前多用于輕薄短小的消費(fèi)類產(chǎn)品。
(a)晶圓( Wafer) (b)晶圓級封裝(WLP)器件
圖21-27 晶圓和晶圓級封裝(WLP)
實(shí)際上可以將WLP看做大的FC。不過,F(xiàn)C需要依賴填充膠來改進(jìn)機(jī)械和熱疲勞阻抗。采用WLP可以不做底部填充工藝。因此,WLP的應(yīng)用在一定程度上簡化了FC的組裝工藝。
晶圓級CSP簡稱WL-CSP( Wafer-Level Chip Size Package),主要應(yīng)用于便攜式消費(fèi)類電子產(chǎn)品,S595TR-GS08如攝錄放影機(jī)、移動電話、數(shù)字相機(jī)、攜帶式影音設(shè)備、掌上型電腦、筆記本電腦等。
圖21-25是超細(xì)間距與典型250pm間距錫球的比較,圖21-26是晶圓級CSP (WL-CSP)器件舉例。
圖21-25倒裝芯片(左)的超細(xì)50Um間距與 圖21-26晶圓級CSP (WL-CSP)器件WL-CSP(右)典型250Um間距錫球的比較
晶圓級封裝WLP
晶圓級封裝WLP( Wafer Level Processing)的一般定義為直接在晶圓上進(jìn)行大多數(shù)或是全部的封裝與測試程序,之后再進(jìn)行切割制成單顆器件。一般可采用凸點(diǎn)( Bumping)技術(shù)作為其I/O電極。所謂Bumping技術(shù),就是應(yīng)用SMT的高精度、窄間距印刷焊膏技術(shù),然后通過再流焊技術(shù),直接在晶圓上制作凸點(diǎn)(電極)的封裝技術(shù)。圖21-27 (a)是已經(jīng)制作電路的晶圓(Wafer),圖21-27 (b)是已經(jīng)切割制成單顆器件的晶圓級封裝(WLP)。WLP封裝具有封裝尺寸轅小與電性能較佳的優(yōu)勢,目前多用于輕薄短小的消費(fèi)類產(chǎn)品。
(a)晶圓( Wafer) (b)晶圓級封裝(WLP)器件
圖21-27 晶圓和晶圓級封裝(WLP)
實(shí)際上可以將WLP看做大的FC。不過,F(xiàn)C需要依賴填充膠來改進(jìn)機(jī)械和熱疲勞阻抗。采用WLP可以不做底部填充工藝。因此,WLP的應(yīng)用在一定程度上簡化了FC的組裝工藝。
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