- 指針2016/7/13 21:04:23 2016/7/13 21:04:23
- 指針是C51語言中的一個重要概念,使用指針可以有效表示和使用復雜的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。指針HFCN-3100就是指變量或數(shù)據(jù)所在的存儲區(qū)的地址,它為變量的訪問提供了一個特殊的方式。指針的基本...[全文]
- do-whib循環(huán)2016/7/13 20:53:02 2016/7/13 20:53:02
- do-while循環(huán)的一般格式為:該循環(huán)與whilc循環(huán)的不同在HCPL-316J-500E于它先執(zhí)行循環(huán)中的語句,然后再判斷條件是否為真,如果為真則繼續(xù)循環(huán),如果為假,則終止循環(huán)...[全文]
- 復含賦值運算符2016/7/13 20:39:03 2016/7/13 20:39:03
- 復合賦值運算符就是在賦值運算符“=”的前面加上其他運算符。HCPL-0601-560E以下是C51中常用的幾種復合賦值運算符:+=加法賦值>)=右移位賦值一減法賦值&...[全文]
- sizeof運算符2016/7/13 20:37:26 2016/7/13 20:37:26
- sizeof是用來求數(shù)據(jù)類型、變量或是HCPL-0600-500E表達式的字節(jié)數(shù)的一個運算符,但它并不像“=”之類運算符那樣在程序執(zhí)行后才能計算出結(jié)果,它是直接在編譯時產(chǎn)生的結(jié)果。它的語法如下:...[全文]
- 數(shù)據(jù)的表示形式2016/7/12 20:27:29 2016/7/12 20:27:29
- 注釋用來說明語旬的功能、性質(zhì)及執(zhí)E-5AG3HD02-1B行結(jié)果,可以增加程序的可讀性,有助于編程人員的閱讀和維護。注釋字段必須以分號“;”開頭,長度不限,當一行書寫不下時,可以換行接著書寫,但...[全文]
- 匯編語言的語句種類及指令格式2016/7/11 22:50:47 2016/7/11 22:50:47
- 1.匯編語言語句的種類匯編語言語句有3種基本類型:指令語句、偽指令語句和宏指令語句。指令語句:ADR381ARTZ-REEL7每一個指令語句都在匯編時產(chǎn)生一個目標代碼,對應著機器的...[全文]
- 8OC51的匯編語言程序設計 2016/7/11 22:26:35 2016/7/11 22:26:35
- 一個完整的單片機應用系統(tǒng)是合理的硬件與完善的軟件的有機組合,二者缺一不可。所謂ADP-2-1W的軟件設計就是指程序的設計。程序?qū)嶋H上是一系列計算機指令的有序集合。我們把利用計算機的指令系統(tǒng)來合理...[全文]
- 單片機執(zhí)行指令的過程 2016/7/9 21:21:43 2016/7/9 21:21:43
- 單片機的工作過程就是運行程序的過程,而程序是指令的有序集合,因此運ADG509AKRZ行程序就是按順序一條一條執(zhí)行指令的過程。指令的機器碼一般由操作碼和操作數(shù)地址兩部分組成,操作碼在前,操作數(shù)地...[全文]
- 單片機的低功耗方式2016/7/9 21:19:55 2016/7/9 21:19:55
- 通過設置電源控制寄存器PCON的相關(guān)位可以確定當前的低功耗方式。1.待機方式將PCON寄存器的IDL位置“1”,單片機則進入待機方式。此時,振蕩器仍然處于工作狀態(tài),并...[全文]
- 并行V0端口P0~P32016/7/9 20:44:33 2016/7/9 20:44:33
- 并行V0端口P0~P3專用寄存器P0、Pl、”、P3分別是并行V0口P0~P3中的數(shù)據(jù)鎖存器。在⒛C51系列單片機中,ADC0820CCN沒有專門的V0口操作指令,而采用統(tǒng)一的MO...[全文]
- 快閃存儲器ROM(Flash ROM)2016/7/6 22:21:10 2016/7/6 22:21:10
- FlashROM是在EPROM和′PROM的基礎上發(fā)展起來的。FlashROM的讀/寫速度很快,存取時間可達20ns,所以也叫閃速存儲器,簡稱“閃存”。ACPM-7251-SG1目前很多單片機內(nèi)...[全文]
- 掩模工藝ROM2016/7/6 22:11:23 2016/7/6 22:11:23
- 這種ROM一般由生產(chǎn)廠家根據(jù)用戶的要求而定制,適合于大批量生產(chǎn)和使用。這種ROM的結(jié)構(gòu)簡單,ACMD-7617-TR1集成度高,但制作掩模的成本也很高,只有在大量生產(chǎn)某種定型的ROM產(chǎn)品時才采用...[全文]
- “主工具欄”按鈕欄2016/7/5 22:29:57 2016/7/5 22:29:57
- “主工具欄”按鈕欄如圖1.18所示,從左到右按鈕功能依次為:新建文件;打開文件;保存文件;EC679534A-1L關(guān)閉工程;返回主頁;打開ISIS原理圖界面;打開PCBLγout界面;打開3D視...[全文]
- 建立項目工程2016/7/5 20:43:28 2016/7/5 20:43:28
- KcilC51uⅥsio鹋包括一個項目管理器,它可以使80x51應用系統(tǒng)的設計變得簡單。要創(chuàng)EBGA1156C-D349D建一個應用,需要按下列步驟進行操作:(1)啟動uⅥsion...[全文]
- 一次性可編程ROM2016/7/5 20:36:34 2016/7/5 20:36:34
- 一次性可編程ROM一次性可編程ROM(oTP),也稱現(xiàn)場可編程ROM(PRoM),Microchip公司的PIC系列芯片就是典型應用。EALNSC410-100AC這種ROM的內(nèi)容...[全文]
- 機器數(shù)的原碼、反碼和補碼2016/7/4 22:02:20 2016/7/4 22:02:20
- 1.原碼將機器數(shù)真值形式中的最高位用“0”表示“+”號,用“l(fā)”表示“-”號,這種數(shù)DSS60-0045B碼形式叫做原碼。當X為正數(shù)時,lX]原=Xo當X為負數(shù)時,將|X|數(shù)值部分...[全文]
- 模型參數(shù)提取2016/7/4 21:45:09 2016/7/4 21:45:09
- (1)激活能的提取。恒定電DSEI20-12A場條件下,分別在3個不同的溫度點(如125℃、155℃、175℃)各測量一批薄柵氧化層的壽命,在對數(shù)正態(tài)坐標上分別提取中位壽命冗1、餳1和%1,在半...[全文]
- blBTI效應是指對器件施加負的柵壓和溫度應力條件2016/7/4 21:41:56 2016/7/4 21:41:56
- blBTI效應是指對器件施加負的柵壓和溫度應力條件下所發(fā)生的一系列現(xiàn)象,它DSEE6-06CC主要發(fā)生在PMOsFET中,其典型的應力條件是柵氧電場|‰smaxH吒sH1・5‰sn...[全文]
- PMOsFET負偏置溫度不穩(wěn)定性 2016/7/4 21:00:58 2016/7/4 21:00:58
- 負偏置溫度不穩(wěn)定性(NBTI)是PMOSFET溝道反型時的磨損機理。在高溫DSEE30-12A和負偏置條件下,PMOsFET的溝道反型,在Si/s⒑2界面處的Si的化合物(si-H、i-o等)的...[全文]
- 數(shù)據(jù)處理2016/7/4 20:56:16 2016/7/4 20:56:16
- 工作條件下的電遷移壽命是加速應力條件下的壽命與加速系數(shù)之比,加速系數(shù)DSEC30-02A是溫度加速度和電流加速度的乘積:T是溫度加速度;幾se是使用條件下的溫度值;⒎e“是...[全文]
公網(wǎng)安備44030402000607
