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電阻器的主要參數2016/8/18 22:07:57
2016/8/18 22:07:57
1)電阻器的標稱阻值電阻器的標稱阻值是指在電陽體上所標示的阻值。常用的G98-459-U2標稱值有E6,電阻的標稱阻值為表3,1,2所列數值的1σ倍(″為正整數、負整數或零)。系列...[全文]
磁性材料 2016/8/18 21:19:32
2016/8/18 21:19:32
磁性是物質的基本屬性之一。但自然G6A-234P-BS-5VDC界中大多數物質對磁場的影響都很小,有的物質使磁場比真空時略為增強一些,稱為順磁物質。有的物質使磁場比真空時略為減弱一...[全文]
通用黏合劑2016/8/17 21:26:34
2016/8/17 21:26:34
1)快速黏合劑快速黏合劑即常用的501、502膠,成分是聚丙烯酸酯膠。其滲透性好,粘接快(幾秒鐘至幾分鐘即白1固化,z刂`時可達到最高強度),可以粘按除聚乙烯、OCP2158TWA...[全文]
絕緣漆 2016/8/17 21:22:17
2016/8/17 21:22:17
絕緣漆是以高分子聚合物為基礎,能在一定條件下固化成絕緣硬膜或絕緣整體的重要絕緣材料c絕緣漆主要以合成樹脂或天然樹脂為漆基(即成膜物質),添加溶劑、OC9080-D601稀釋劑、填料等組成。漆基在...[全文]
焊刑2016/8/17 20:06:55
2016/8/17 20:06:55
焊劑與焊料不同,AFB0412VHB-TP29是用來增加潤濕,以幫助和加速焊接的進程,故焊劑叉稱助焊利。早劑的助焊能力,依靠焊劑的活性。焊劑的活性是指從金屬表面迅速去除氧化膜的能力...[全文]
覆銅板的分類2016/8/16 23:09:12
2016/8/16 23:09:12
按增強材料類別、黏合劑JST6N80F類別或板材特性分類有:①酚醛紙基覆銅箔板(叉稱紙銅箔板)。它是由紙浸以酚醛樹脂,兩面襯以無堿玻璃布,在一面或兩面覆以電解銅箔,經熱壓而成的。這...[全文]
高頻磁場的屏蔽2016/8/16 22:49:52
2016/8/16 22:49:52
如果在一個均勻的高頻磁場中,如圖1.3.16(a)所示,放置金屬圓環(huán),那么,在此金屬環(huán)中將產生感應電流,此電流將產生一個反抗外磁場變化的磁場,如圖l,3,16(b)所示。JST2N60D此磁場...[全文]
減振和緩沖的措施2016/8/16 21:52:10
2016/8/16 21:52:10
1)消除振源減弱或消除震動和沖擊的干擾源。IRF3205例如電動機要進行單獨隔振,對旋轉部件應進行動平衡試驗,消除因制造、裝配或材料缺陷造成的偏心引起的離心慣性力。2...[全文]
緩沖的基本原理2016/8/16 21:49:23
2016/8/16 21:49:23
碰撞和沖擊是一種不規(guī)則瞬時作用于產品上的外力所產生的機械作用。如果外HER304力具有重復性,次數較多,加速度不大,波形一般為正弦波,其機械作用稱之為碰撞。如飛機的降落。如果外力不重復,加速度大...[全文]
電子產品內部的合理布局2016/8/15 22:20:57
2016/8/15 22:20:57
電子產品內部的合理布局a。應合理地布置機箱進出風口的位置,盡MLF1005DR22KT量增大進出風口之間的距離和它們的高度差,以增強自然對流。圖133熱屏蔽方法示意圖...[全文]
LED的熱特性 2016/8/13 23:11:48
2016/8/13 23:11:48
作為一個電流驅動的半導體器件,當給它施加外加電場作用時,電子便與空穴發(fā)生輻射復合,AK4385ET-E2產生電致發(fā)光作用,其中一部分能量轉化為光能,與此同時無輻射復合產生的晶格振蕩將其余的能量轉...[全文]
實際光源與理想光源的對比2016/8/12 21:27:00
2016/8/12 21:27:00
光學軟件進行照明系統(tǒng)的模擬時,需要對光源的相關參數進行設計。無論使AFB0412SHB-T500用哪一款光學設計軟件,針對于LED光源模擬,都需要設置下列參數:光源的類型、幾何形狀、光通量或輻射...[全文]
封裝膠折射率對提取效率的影響2016/8/12 21:04:03
2016/8/12 21:04:03
封裝膠折射率對提取效率的影響為了提高光子提取效率,要求芯FMG22R片與空氣之間填充高折射率的透明膠(cncapsulant),一般其折射率為‰=1.41~1.53之間。這時芯片的...[全文]
負反饋放大器的各項指標與基本放大器的指標2016/8/11 21:18:13
2016/8/11 21:18:13
本實驗電路，它是由分立元件組PIO32-221KT成的電壓串聯負反饋放大器電路，該電路由兩極單管放大器和反饋阻容元件Rf和Cf組成。負反饋放大器的各項指標與基本放大器的指標，以及反...[全文]
選擇對應hFE測試插座的結構插孔2016/8/11 21:05:43
2016/8/11 21:05:43
接著根據己測得晶體管的結構和基極，PIO32-150MT將萬用表旋鈕調到“hFE”擋，選擇對應hFE測試插座的結構插孔，把基極引腳插入，另外兩引腳分別插入E和C的插孔，讀出讀數，接著對調E和C插...[全文]
表面粗化 2016/8/10 21:00:27
2016/8/10 21:00:27
提高光提取效率的另一方法是表面粗化,即通過對LED的表面進行粗糙化,使其表面粗糙度提高,降低表面的鏡面反射率,從而提高光的出射率。JST2N60U表面粗化可以分為規(guī)則圖形和不規(guī)則圖形。很多人對粗...[全文]
薄膜發(fā)光二極管2016/8/9 21:07:22
2016/8/9 21:07:22
薄膜發(fā)光二極管由Schnitz∝等人在1993年針對礦-AlGaAs/p-GaAs/p+-川GaAs雙異質結LED提出冂,包含了薄膜LED的關鍵技術點,如反光鏡、鍵合、BATF003G5K28-...[全文]
具有0s結構的LED器件2016/8/8 20:23:21
2016/8/8 20:23:21
>示],FM24C04B-GTR能夠從LED中被提取出來,相對傳統(tǒng)結構LED,os結構LED光功率提高49%,并且電性能沒有受到影響。如圖5-31是傳統(tǒng)結構LED和具有Os結構LED的正/曲線、...[全文]
反射電極膜系2016/8/7 18:25:06
2016/8/7 18:25:06
反射電極膜系主要有Ni/Au、ITO、多層金屬作為插入層等體系。EP1C3T144C8研究者對Ni/Au插入層膜系研究較為透徹。Ni/Au(5nd5nm)經空氣或o2氛圍退火,在p-⒍Ⅸ表面得到...[全文]
對GaN材料的粗化主要有濕法粗化和干法粗化兩種方式2016/8/7 17:51:45
2016/8/7 17:51:45
對GaN材料的粗化主要有濕法粗化和干法粗化兩種方式。濕法粗化的原理主要是利用酸或堿對GaN的腐蝕作用,從而留下粗糙的表面。EP1C12Q240I7N濕法粗化所用溶液主...[全文]
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