- 實(shí)驗(yàn)方法 2016/7/3 17:37:45 2016/7/3 17:37:45
- 為了在器件上產(chǎn)生最大的熱載流子退化效應(yīng),需要預(yù)先確定柵極和漏極的應(yīng)力電壓。NDP7060要決定漏極應(yīng)力電壓,必須測(cè)試在不同柵極電壓條件下器件的兔s-/Gs輸出特性曲線。不管晶體管的擊穿原因如何,...[全文]
- 可靠性模擬時(shí)調(diào)用襯底電流模型2016/7/2 18:33:39 2016/7/2 18:33:39
- 可靠性模擬時(shí)調(diào)用襯底電流模型,用襯底電流來(lái)表征熱載流子退化�？梢钥碅D8044AR-14出,熱載流子退化對(duì)器件非常敏感,并且由此效應(yīng)形成的襯底電流與過(guò)飽和漏源電壓成指數(shù)關(guān)系。為抑制熱載流子效應(yīng),...[全文]
- 漏極電流的對(duì)數(shù)值2016/7/1 22:49:12 2016/7/1 22:49:12
- 亞閾值斜率s的測(cè)量如圖9.31所示,當(dāng)/Gs比較小時(shí)由于弱反型層不明顯,所CAP002DG以對(duì)應(yīng)的電流值比較小(一般為pA級(jí))。隨著柵壓的上升,漏極電流開(kāi)始出現(xiàn)明顯的變化。圖中黑色實(shí)心點(diǎn)為擬合s...[全文]
- 當(dāng)MOs結(jié)構(gòu)加上襯底偏置電壓2016/6/30 21:44:33 2016/6/30 21:44:33
- 強(qiáng)反型時(shí),表面耗盡層中的空間電荷面密度隨襯底雜質(zhì)濃度的增大而增大,閾值電壓也隨之而變化。M0334RC200雖然閾值電壓表達(dá)式中的餌、‰s和幺都隨襯底雜質(zhì)濃度的改變而變化,但在一般器件的參雜范圍...[全文]
- NMOsFET的輸出特性曲線2016/6/30 21:38:42 2016/6/30 21:38:42
- 現(xiàn)代CMOS工藝中,往往采M0310YH300用離子注入技術(shù)改變溝道區(qū)的摻雜濃度,從而改變閾值電壓。對(duì)NMOS晶體管而言,注入P型雜質(zhì),將使閾值電壓增加;反之,注入N型雜質(zhì)將使閾值電壓降低,如果...[全文]
- MOS電容參數(shù)和寄生因素2016/6/30 21:21:12 2016/6/30 21:21:12
- 柵電極和硅襯底之間的功函數(shù)差與柵電極和襯底的摻雜有關(guān)。對(duì)襯底摻雜濃度為1016cm3的N型硅,若電極是鋁電極,典型的功函數(shù)差是一0.25V。M0268SJ250工藝上常用重?fù)诫s的多晶硅代替鋁作柵...[全文]
- 連接孔的最大電流密度2016/6/29 21:13:31 2016/6/29 21:13:31
- 加速試驗(yàn)表明,為了使器件能在25℃、5V環(huán)境下工作10年,最薄的柵氧化層厚度應(yīng)不小于7,2nm,隨著溫度的上升氧化層還得加厚(9,3nm,150℃)。HCNW2611-500E由于短溝道器件的橫...[全文]
- 一個(gè)非門的設(shè)計(jì)過(guò)程 2016/6/29 20:48:00 2016/6/29 20:48:00
- 點(diǎn)擊Po1y層畫(huà)出柵極,Poly與有源新建一個(gè)名為pmos的Ccll,畫(huà)出有源區(qū),區(qū)的位置關(guān)系如圖8.23所示。然后畫(huà)整個(gè)PMOs管。為了表H1102NL明畫(huà)的是PMOs管,必須在...[全文]
- 減小隨機(jī)失配2016/6/28 22:07:54 2016/6/28 22:07:54
- 減小隨機(jī)失配。一般來(lái)說(shuō)ADM2587EBRWZ,電容失配與面積的平方根成反比,即容量為原來(lái)的2倍,失配減小約30%。不同大小電容匹配時(shí),匹配精度由小電容決定。電阻失配與寬度成反比,即阻值為原來(lái)的...[全文]
- MPW投片的目的2016/6/28 21:40:12 2016/6/28 21:40:12
- MPW投片的目的在于提高設(shè)計(jì)效率、降低開(kāi)發(fā)成本。現(xiàn)在主流Foundγ廠的硅片直徑為12英寸,每次工程批至少提供6~12片。如果在同一硅片上,ADF4110BRUZ只進(jìn)行單一集成電路設(shè)計(jì)項(xiàng)目試驗(yàn)流...[全文]
- 設(shè)計(jì)規(guī)則舉例 2016/6/28 21:25:15 2016/6/28 21:25:15
- 設(shè)計(jì)規(guī)則檢查軟件,對(duì)版圖AD620ARZ-REEL的幾何尺寸進(jìn)行檢查時(shí),對(duì)于寬度低于規(guī)則中最小寬度的幾何圖形,將給出錯(cuò)誤提示。表8.1列出了0.18umCMOS工藝中各版圖層的線條最小寬度。表8...[全文]
- 版圖的幾何設(shè)計(jì)規(guī)則 2016/6/28 21:10:52 2016/6/28 21:10:52
- 芯片在加工過(guò)程中會(huì)受到多種非理想因素的影響,如光刻分辨率問(wèn)題、多層版之間的套準(zhǔn)問(wèn)題、ACE721CADJBN芯片表面的平整度、工藝制作中的擴(kuò)散和刻蝕問(wèn)題,以及因載流子濃度不均勻分布所導(dǎo)致的問(wèn)題等...[全文]
- 影響Foundγ線質(zhì)量與可靠性的管理要素 2016/6/27 22:27:43 2016/6/27 22:27:43
- 影響Foundry線質(zhì)量與可靠性的管理要素有凈化間的溫濕度控制、設(shè)備校準(zhǔn)與維護(hù)、BP3315人員引起的污染預(yù)防、掃描電鏡檢查及能譜分析、內(nèi)部目檢、生產(chǎn)工藝的sPC控制等。凈化間內(nèi)的...[全文]
- 基于斜坡電流的柵氧可靠性評(píng)價(jià)2016/6/27 22:14:23 2016/6/27 22:14:23
- 測(cè)量方法在器件生產(chǎn)過(guò)程中薄柵氧化層上的高電場(chǎng)是影響器件成品率和可靠性的主要因素。BP3106當(dāng)有足夠的電荷注入氧化層時(shí),會(huì)發(fā)生氧化層介質(zhì)的擊穿,這種擊穿可以在介質(zhì)層上施加電流或施加...[全文]
- 自加熱恒溫電遷移試驗(yàn)步驟2016/6/26 20:03:41 2016/6/26 20:03:41
- 在圓片級(jí)金屬互連與接觸可靠性的研究中,依據(jù)試驗(yàn)的目的不同,采用的方法分別有恒溫、IXFM42N20恒流和標(biāo)準(zhǔn)圓片級(jí)電遷移加速試驗(yàn)。這3種方法各有特點(diǎn),恒溫測(cè)試需要調(diào)節(jié)電流,以維持溫度的恒定;恒定...[全文]
- TCV結(jié)構(gòu)不需使用鑒定過(guò)的外殼2016/6/25 22:48:46 2016/6/25 22:48:46
- 所有TCV測(cè)試結(jié)構(gòu)應(yīng)采用與工藝中標(biāo)準(zhǔn)電路相同的封裝材料和組裝工藝進(jìn)行封裝。DAC08EP在某些情況下,TCV壩刂試結(jié)構(gòu)不能按上述要求進(jìn)行封裝時(shí),可以將TCV封裝在合適的外殼中來(lái)評(píng)價(jià)待認(rèn)證的芯片工...[全文]
- 表面貼裝工程2016/6/24 22:48:37 2016/6/24 22:48:37
- 表面貼裝工程(St】rfaccMountAsscmb燈,SMA)是隨表面貼裝元件(SMC)和表面貼裝器件(sMD)的誕牛和人量應(yīng)用,而發(fā)展起來(lái)的新一代的電子組裝技術(shù)。E32-TC200F它是目前...[全文]
- 選擇性焊接只將熱傳導(dǎo)到需要焊接的焊盤(pán)和引腳處2016/6/24 22:36:47 2016/6/24 22:36:47
- 選擇性焊接只將熱傳導(dǎo)到需要焊接的焊盤(pán)和引腳處,這樣就極大地消除了PCB板彎曲變形造成的缺陷。E32-TC200B4這些特性在使用無(wú)鉛焊膏和水溶性助焊劑時(shí)尤為重要。無(wú)鉛焊接需要相對(duì)高的溫度,因此焊...[全文]
- 加速系數(shù)是加速壽命試驗(yàn)的一個(gè)重要參數(shù)2016/6/23 22:09:50 2016/6/23 22:09:50
- f是某壽命特征(如平均壽命、中位壽命、特征壽命等);s是應(yīng)力水平;αs)為應(yīng)力水平s的函數(shù);夕、D為待定參數(shù)。ADM1181AARW當(dāng)產(chǎn)品的壽命服從指數(shù)分布exp(龍)時(shí),常將平均...[全文]
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