- 封裝材料α射線引起的軟誤差2016/6/22 21:13:04 2016/6/22 21:13:04
- 鈾或釷等放射性元素是D1FL/L2集成電路封裝材料中天然存在的雜質(zhì),這些材料發(fā)射的α粒子可使集成電路發(fā)生軟誤差。產(chǎn)生機(jī)理當(dāng)α粒子進(jìn)入硅中時(shí),在粒子經(jīng)過的路徑上產(chǎn)生電子...[全文]
- 互連和機(jī)械應(yīng)力2016/6/21 23:04:44 2016/6/21 23:04:44
- 互連和機(jī)械應(yīng)力。在后端BEOL工藝中,金屬化工藝對NBTI效應(yīng)有著明顯的影響。Sony和F喲itsu公司的聯(lián)合OF280SD50D研究結(jié)果表明,Cu互連中采用的大馬士革工藝加劇了NBTI效應(yīng)。C...[全文]
- NBTl陷阱產(chǎn)生模型2016/6/21 22:18:39 2016/6/21 22:18:39
- >生陷阱;OES4805第2個(gè)模型描述了通過化學(xué)物質(zhì)的相互作用和擴(kuò)散形成更普遍的陷阱。氫模型。氫界面陷阱,可以表示為其中,HO是一個(gè)中性的間隙氫原子。第一性原理計(jì)算表明帶正電荷的氫...[全文]
- 多層結(jié)構(gòu)2016/6/21 22:09:00 2016/6/21 22:09:00
- 多層結(jié)構(gòu)。采用以O(shè)MI-SS-112LM金為基材的多層金屬化層,如Pt2S圮-△~PtAu層,其中Pt2s圮與硅能形成良好的歐姆接觸。鈦是黏附層,鉑是過渡層,金做導(dǎo)電層。對于微波...[全文]
- 兩種模型的對比分析2016/6/20 21:18:46 2016/6/20 21:18:46
- 兩種模型的對比分析。陽極空HB48-0.5-A穴注入(AHI,AnodeHo⒗習(xí)cction)模型,即1/E模型,該模型認(rèn)為擊穿時(shí)間與氧化層電場的倒數(shù)有關(guān),應(yīng)力條件下,柵電流通常是FN電流,FN...[全文]
- 熱載流子效應(yīng)的影響因素2016/6/20 21:02:49 2016/6/20 21:02:49
- 首先考慮溫度因素,大多數(shù)可靠性試驗(yàn)證明,環(huán)境溫度越高,器件退化越嚴(yán)重。HB12-1.7-A而熱載流子注入效應(yīng)的情況則相反,溫度越低,熱載流子注入效應(yīng)越明顯。這是因?yàn)榈蜏叵?si原子的振動變?nèi)?襯...[全文]
- 漏極電壓 定時(shí)柵壓與襯底電流的關(guān)系2016/6/19 19:13:18 2016/6/19 19:13:18
- 對于深亞微米CMOs工藝器件,當(dāng)漏極ESD5Z5.0T1G電壓一定時(shí),電壓(/cs)變化的情況如圖5,3所示。由圖可知,當(dāng)吒s為/Ds一半附近,氣b達(dá)最大值。這是因?yàn)榇藭r(shí)漏極附近形...[全文]
- 通孔腐蝕2016/6/19 18:22:03 2016/6/19 18:22:03
- 金屬層2沉積siN作為刻蝕阻擋層。涂覆低EP2AGX45DF25C5N佬介質(zhì)。沉積SiO2,作為刻蝕的終點(diǎn)層。二次涂覆低庀介質(zhì),再沉積s⒑2。隨后進(jìn)行通孔1的光刻,接著腐蝕二氧化硅...[全文]
- N、P阱的形成2016/6/18 20:46:55 2016/6/18 20:46:55
- 器件的有源區(qū)形成后,接下來就OP220GS-REEL是N阱和P阱的制作。在圓片表面涂覆光刻膠,采用2#光刻版曝光顯影后,N阱區(qū)域的光刻膠被去掉。接著進(jìn)行離子注入,如圖4.5所示。首先高能大劑量離...[全文]
- 有機(jī)物沾污主要是指含碳物質(zhì)2016/6/18 20:25:48 2016/6/18 20:25:48
- 有機(jī)物沾污主要是指含碳物質(zhì)。有機(jī)物沾污的一些來源包括細(xì)菌、蒸氣、清潔劑、溶劑及潮氣等。OP213FSZ-REEL7在特定的工藝條件下,微量有機(jī)物沾污能降低柵氧化層材料的致密性。當(dāng)硅...[全文]
- 缺陷的徑向分布2016/6/17 21:40:40 2016/6/17 21:40:40
- 上述所言均假定缺陷密度是不均勻的,是指整片硅片內(nèi)以及與各片硅片之間均有變化。H-183-4-N一些研究者詳盡地研究了缺陷密度因特定工藝而變化的原因,他們發(fā)現(xiàn)某種類型的缺陷顯示出其出現(xiàn)的頻率與徑向...[全文]
- 氧化工藝的分步驟2016/6/17 21:16:53 2016/6/17 21:16:53
- 工藝步驟的增加同時(shí)提高了另外4個(gè)成品率制約因素對工藝中晶圓產(chǎn)生影響的可能性。H12WD48125例如,要想在一個(gè)50步的工藝流程上獲得75%的累積成品率,每單步的成品率必須達(dá)到99.4%。如果一...[全文]
- 累積晶圓生產(chǎn)成晶率 2016/6/17 21:08:14 2016/6/17 21:08:14
- 在晶圓完成所有的生產(chǎn)工藝后,第一個(gè)主要成品率被計(jì)算出來了。對此成H12D4825品率有多種不同的叫法,如Fab成品率(FabⅥeld)、生產(chǎn)線成品率、累積晶圓廠成品率或累計(jì)成品率。...[全文]
- 顆粒污染物 2016/6/15 21:01:33 2016/6/15 21:01:33
- 顆粒污染物包括空氣中所含的顆粒、人員產(chǎn)生的顆粒、設(shè)各和工藝操作過程中使用的化學(xué)品產(chǎn)生的顆粒等。在任何晶圓上,都存在大量的顆粒。CY27H010-45WC有些顆粒位于器件不太敏感的區(qū)域,不會造成器...[全文]
- 過高的退火溫度會使主要的擴(kuò)散元素si擴(kuò)散加劇而造成漏電甚至短路的問題2016/6/14 21:08:10 2016/6/14 21:08:10
- 對于鈦硅化物而言,最大的挑戰(zhàn)在于△s砬的線寬效應(yīng),即△s砬電阻會隨著線寬或接觸面積的減小而增加。EL5411IRZ原因是當(dāng)線寬變得過窄時(shí),從C49相到C54相的相變過程會由原先的二維模式轉(zhuǎn)變成一...[全文]
- 選擇合適的兩次退火的溫度和時(shí)間等2016/6/14 21:03:57 2016/6/14 21:03:57
- 制造工藝使用LPCVD法或?yàn)R射法來沉積Wsi2。它是覆蓋在Poly的上面,而形成Poly化金屬的結(jié)構(gòu)。EL5378IUZ然后經(jīng)光刻和Poly化金屬的刻蝕后,形成了整個(gè)MOS的結(jié)構(gòu)。LPCVD岡刂...[全文]
- Al膜的電遷移2016/6/14 20:57:28 2016/6/14 20:57:28
- 電遷移現(xiàn)象是一種在大電流密度作用下的質(zhì)量輸運(yùn)現(xiàn)象。質(zhì)量輸運(yùn)是沿電子流方向進(jìn)行的,EL5373IUZ結(jié)果在一個(gè)方向形成空洞,而在另一方向則由于Al原子的堆積而形成小丘,前者會使連線開路,后者會使光...[全文]
- 阻擋層金屬 2016/6/14 20:48:11 2016/6/14 20:48:11
- 為了消除諸如淺結(jié)材料擴(kuò)散或結(jié)尖刺問題,常采用阻擋層金屬化方法。阻擋金EL5371IU屬層是沉積金屬或金屬塞,其作用是阻止金屬層上下的材料互相混合。對于0.35um工藝水平的器件,其阻擋層金屬厚度...[全文]
熱門點(diǎn)擊
- 臺階覆蓋
- EPA區(qū)域
- NMOsFET的輸出特性曲線
- N、P阱的形成
- 零差檢測和超外差檢測
- 波形參數(shù)設(shè)置的方法
- 電導(dǎo)率( Conductivity)是導(dǎo)
- Simulation Profile的設(shè)
- 激勵(lì)信號源符號
- TVS的VWM稱為最大反向電壓
IC型號推薦
- MMSZ6V0T1G
- MMSZ6V2
- MMSZ6V2/6.2V
- MMSZ6V2\6.2V
- MMSZ6V2ET1
- MMSZ6V2T1
- MMSZ6V2T1G
- MMSZ6V8
- MMSZ6V8ET1
- MMSZ6V8T1
- MMSZ6V8T1(6.8V)
- MMSZ6V8T1G
- MMSZ6V8T3G
- MMSZ7V5
- MMSZ7V5ET1
- MMSZ7V5T1
- MMSZ7V5T1G
- MMSZ8V2ET1
- MMSZ8V2T1
- MMSZ8V2T1G
- MMSZ8V2T3G
- MMSZ8V7T1G
- MMSZ9V1ET1
- MMSZ9V1T1
- MMSZ9V1T1G
- MMT05A230T3
- MMT05A230T3G
- MMT05A260T3
- MMT05A260T3G
- MMT05A310T3
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