當(dāng)互連引線中通過大電流密度時(shí),因?yàn)榉埠碗娮恿鲃?dòng)方向相同,而Fq和電子流動(dòng)方向相反且凡丹,所以金屬原子受到電HBAA-40W-A 子風(fēng)力的驅(qū)動(dòng),產(chǎn)生了從陰極向陽極(沿著電子流動(dòng)的方向)的受迫定向擴(kuò)散,即發(fā)生了金屬原子的電遷移,而空位(Vacancy)則沿著相反的方向移動(dòng)。

   由于空位的產(chǎn)生(和金屬原子電遷移同步),電遷移就有了另一個(gè)快速移動(dòng)的通道――離子和空位的交互(Ion~vacancy jump proccss)。在多晶金屬薄膜中,由于晶界及金屬薄膜與電介質(zhì)層、擴(kuò)散阻擋層的界面或者表面存在大量空位,因此其電遷移激活能遠(yuǎn)低于相應(yīng)的塊狀材料。

   是等效電荷數(shù);E為電場強(qiáng)度;g為電子電荷。于鉑、鈷、金、鋁材料,其z咔分別為+0.3、H。6、 8、一30;負(fù)的Z是電子風(fēng),使金屬離子向正極移動(dòng),z為正值是“空穴”風(fēng),使金屬離子向負(fù)極方向

遷移。z艸的絕對值越小,貝刂抗電遷移能力越強(qiáng)。表5.3列出了一些金屬材料的z值。