(1)鈉、鉀、氫等可動(dòng)離子在一定溫度下,受到電場(chǎng)作用可在膜層中移動(dòng),從CAP004DG而使在表面感應(yīng)出的電荷發(fā)生變化,結(jié)果使表面電勢(shì)和MOs結(jié)構(gòu)⒍/特性發(fā)生變化�？蓜�(dòng)離子電荷對(duì)⒍/特性的影響表現(xiàn)在⒍/曲線的漂移。

  (2)固定氧化物電荷的存在加大了膜層中的電場(chǎng),這就需要柵電極上有更多的負(fù)電荷才能恢復(fù)原有的表面電勢(shì),也就需要更負(fù)的電壓來建立原來的表面勢(shì),所以⒍/特性曲線將沿電壓軸向負(fù)電壓方向移動(dòng)。若考慮金屬和半導(dǎo)體的功函數(shù)差‰s,則單位面積內(nèi)的固定氧化物電荷的數(shù)目為

   (3)界面陷阱電荷位于界面處,能量位于硅禁帶中的分立或連續(xù)能級(jí),它可以和硅表面快速地交換電荷。固定氧化物電荷使⒍/曲線只發(fā)生平移,而界面陷阱除使cˉ/曲線移動(dòng)外,還會(huì)引起曲線形狀的畸變。由于界面陷阱中的電荷數(shù)量與表面電勢(shì)吒或吒s相關(guān)聯(lián),因此界面陷阱電容qt(/)與表面電勢(shì)有關(guān)。界面陷阱電容是一微分電容,它與表面空間電荷層電容相并聯(lián)。因?yàn)樗某浞烹娪幸欢ǖ念l率響應(yīng),所以在很高的頻率下,界面陷阱上的電荷充放電跟不上信號(hào)的變化,則界面陷阱電容qt=0。因此高頻⒍/特性不包括qt成分。如果用Clf和咣f分別表示準(zhǔn)靜態(tài)和高頻⒍/測(cè)量的電容,則: 利用低頻和高頻曲線的差異,就能測(cè)得界面陷阱電容,從而得到界面陷阱的密度。

   (4)氧化物陷阱是由于X射線、γ射線等產(chǎn)生電離的輻射線在膜層中產(chǎn)生電子空穴對(duì),空穴被陷入陷阱,在膜層中形成帶正電的空間電荷而引起的。它也會(huì)使⒍/特性曲線向負(fù)電壓方向平移,平移量與陷阱電荷量及輻射時(shí)的偏壓有關(guān)。