結(jié)果表明,PMOS晶體管的亞閾值斜率要比NMOs晶體管的大一些。這主要CAP003DG是受到弱反型層載流子的遷移率的影響。空穴的遷移率要略小于電子,這就使得增大到同樣數(shù)量級的漏極電流PMOS晶體管需要更大一些的柵電壓來增強(qiáng)反型層對載流子的輸運(yùn)作用。

   從亞閾值斜率定義可以看出,s表征的是柵電壓對溝道電流的控制能力。溫度的升高引起s的線性增加,即為了達(dá)到相同的漏極電流水平亞閾區(qū)柵壓要相應(yīng)地增加。這就表明了器件的亞閾性能出現(xiàn)了退化,使得其開關(guān)性能變差。同時,s的增大也會導(dǎo)致器件漏極電流增加,靜態(tài)功耗變大,這對大規(guī)模集成電路有著重要影響。

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