環(huán)境溫度對器件參數(shù)的影晌
發(fā)布時間:2016/7/1 22:34:04 訪問次數(shù):523
超大規(guī)模集成電路主要的失效機理和MOs器件的參數(shù)值都與環(huán)境溫度有關(guān),CAP003DG環(huán)境溫度的變化范圍越寬,對器件可靠性的影響就越大。對于需要工作在惡劣環(huán)境條件下的超大規(guī)模集成電路,設(shè)計時參數(shù)變化的幅值必須考慮。對CMOs工藝測試芯片,進行了不同環(huán)境溫度條件下器件參數(shù)的測量。圖9.21是r―/特性曲線與溫度的關(guān)系。隨著溫度的上升,「/曲線的幅值下降,即漏極電流隨溫度的上升而下降。圖9.”所示是器件的不同參數(shù)隨環(huán)境溫度的變化關(guān)系,隨著環(huán)境溫度的上升均呈現(xiàn)下降的趨勢。
超大規(guī)模集成電路主要的失效機理和MOs器件的參數(shù)值都與環(huán)境溫度有關(guān),CAP003DG環(huán)境溫度的變化范圍越寬,對器件可靠性的影響就越大。對于需要工作在惡劣環(huán)境條件下的超大規(guī)模集成電路,設(shè)計時參數(shù)變化的幅值必須考慮。對CMOs工藝測試芯片,進行了不同環(huán)境溫度條件下器件參數(shù)的測量。圖9.21是r―/特性曲線與溫度的關(guān)系。隨著溫度的上升,「/曲線的幅值下降,即漏極電流隨溫度的上升而下降。圖9.”所示是器件的不同參數(shù)隨環(huán)境溫度的變化關(guān)系,隨著環(huán)境溫度的上升均呈現(xiàn)下降的趨勢。
上一篇:閾值電壓
熱門點擊
- 光刻工藝產(chǎn)生的微缺陷
- 機器數(shù)
- 半導體集成電路制造的環(huán)境要求
- 光刻膠的去除
- N阱及N+集電極形成
- 平帶時的負界面陷阱電荷
- 二次擊穿
- 間隙式擴散
- 影響氧化物生長的因素
- 金屬化電遷移的影響因素
推薦技術(shù)資料
- 泰克新發(fā)布的DSA830
- 泰克新發(fā)布的DSA8300在一臺儀器中同時實現(xiàn)時域和頻域分析,DS... [詳細]
- 高性能CMOS模擬四通道SPDT多路復(fù)用器應(yīng)
- 頂級汽車壓力傳感器信號調(diào)理芯片 (SSC)
- 通用電源管理集成電路 (PMI
- 2.4Ω低導通電阻
- Arm Cortex-M0+微控制器產(chǎn)品組合
- 硅絕緣體(SOI)工藝8位數(shù)字
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究