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環(huán)境溫度對器件參數(shù)的影晌

發(fā)布時間:2016/7/1 22:34:04 訪問次數(shù):517

   超大規(guī)模集成電路主要的失效機理和MOs器件的參數(shù)值都與環(huán)境溫度有關(guān),CAP003DG環(huán)境溫度的變化范圍越寬,對器件可靠性的影響就越大。對于需要工作在惡劣環(huán)境條件下的超大規(guī)模集成電路,設計時參數(shù)變化的幅值必須考慮。對CMOs工藝測試芯片,進行了不同環(huán)境溫度條件下器件參數(shù)的測量。圖9.21是r―/特性曲線與溫度的關(guān)系。隨著溫度的上升,「/曲線的幅值下降,即漏極電流隨溫度的上升而下降。圖9.”所示是器件的不同參數(shù)隨環(huán)境溫度的變化關(guān)系,隨著環(huán)境溫度的上升均呈現(xiàn)下降的趨勢。

   


   超大規(guī)模集成電路主要的失效機理和MOs器件的參數(shù)值都與環(huán)境溫度有關(guān),CAP003DG環(huán)境溫度的變化范圍越寬,對器件可靠性的影響就越大。對于需要工作在惡劣環(huán)境條件下的超大規(guī)模集成電路,設計時參數(shù)變化的幅值必須考慮。對CMOs工藝測試芯片,進行了不同環(huán)境溫度條件下器件參數(shù)的測量。圖9.21是r―/特性曲線與溫度的關(guān)系。隨著溫度的上升,「/曲線的幅值下降,即漏極電流隨溫度的上升而下降。圖9.”所示是器件的不同參數(shù)隨環(huán)境溫度的變化關(guān)系,隨著環(huán)境溫度的上升均呈現(xiàn)下降的趨勢。

   


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CAP003DG
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