說(shuō)明S公司MOS電容樣品測(cè)試的最小電容值的波動(dòng)比H公司MOS電容樣品測(cè)試的最小電容值的波動(dòng)要大,其原因可能是S公司的MOs電容樣品有較大的泄漏電流。 CAP006DG由于泄漏電流較大,當(dāng)MOs系統(tǒng)進(jìn)入深耗盡狀態(tài)時(shí),耗盡區(qū)寬度隨電壓增加而不能達(dá)到理論計(jì)算的最大耗盡層寬度,而理論上MOs電容值隨耗盡區(qū)寬度增加而減少,因此導(dǎo)致測(cè)量出的最小電容值出現(xiàn)偏差。

   用VC++編程計(jì)算了108個(gè)電容樣品的氧化層厚度、襯底濃度、平帶電壓和固定氧化層電荷密度,用MINITAB軟件對(duì)VC抖的計(jì)算數(shù)據(jù)進(jìn)行了正態(tài)擬合,并分別計(jì)算出兩批樣品的各個(gè)參數(shù)的均值和標(biāo)準(zhǔn)差。圖917至圖9.20分別是氧化層厚度分布圖、襯底濃度分布圖、平帶電壓分布圖和固定電荷密度分布圖。