對(duì)于MOSFET,其溝道區(qū)表面能帶發(fā)生彎曲還未到強(qiáng)反型地步時(shí),器件處于截止?fàn)顟B(tài)。CAP009DG但在柵氧化層中電荷的作用下,表面可能處于弱反型,因而溝道中仍有很小的漏電流通過(guò)。相應(yīng)的漏電流稱為亞閾值電流,通常將柵壓小于閾值電壓時(shí)半導(dǎo)體出現(xiàn)弱反型的狀態(tài)稱為亞閾值區(qū)。

   當(dāng)MOSFET應(yīng)用于數(shù)字邏輯電路和存儲(chǔ)電路時(shí),器件的亞閾值行為就顯得特別重要。這是由于亞閾值區(qū)描述了器件如何導(dǎo)通和截止,亞閾值斜率s是其中的關(guān)鍵參數(shù)。在MOSFET按比倒縮小的許多限制因素中,亞閾值斜率s便是其中之一。在MOSFET發(fā)生弱反型的亞閾值區(qū),亞閾值斜率S被定義.