隨著CMOs器件工藝尺寸的不斷縮小,熱載流子注入效應(yīng)始終存在,導(dǎo)致器件性能產(chǎn)生退化,甚至最終使器件失效。熱載流子注入將誘導(dǎo)氧化層陷阱電荷和界面態(tài)的產(chǎn)生,這些缺陷是導(dǎo)致器件性能退化的主要原因。AD8052ARM盡管MED℃I不具備直接模擬熱載流子效應(yīng)的能力,但它能精確模擬出漏端附近橫向電場、碰撞電離率和電子注入電流的分布,因此可以得到熱載流子產(chǎn)生界面態(tài)區(qū)域和分布情況,進(jìn)而可以獲得器件退化的區(qū)域及退化的狀態(tài)。

   MEDICI是先驅(qū)(AVANT!)公司的一個用來進(jìn)行二維器件模擬的軟件,通過模擬器件中電勢和載流子的二維分布,預(yù)測任意偏置條件下的MOS型、雙極型及其他類型的半導(dǎo)體器件的二維特性。其通過解洎松(Poisson)方程和電子、空穴電流連續(xù)性方程,分析二極管、三極管及涉及兩種載流子電流的應(yīng)。MEDICI也能分析單載流子起主要作用的器件,如MOsFET、JFET、MESFET。