可靠性試驗(yàn)要求
發(fā)布時(shí)間:2016/7/3 17:26:29 訪問(wèn)次數(shù):1023
集成電路工藝的可靠性試驗(yàn)是針對(duì)失效機(jī)理,應(yīng)用可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu),通過(guò)封裝級(jí)或圓片級(jí)的加速試驗(yàn),獲取失效機(jī)理的可靠性參數(shù)和可靠性信息, N13T1確認(rèn)生產(chǎn)線的可靠性水平。
HCI效應(yīng)可靠性試驗(yàn)所用的可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)是MOsFET單管,溝道長(zhǎng)度取cMOs工藝的特征值,源、柵、漏和襯底單獨(dú)引出,可采用多指形式拼成大寬長(zhǎng)比的MOs管。
TDDB效應(yīng)可靠性試驗(yàn)所用的可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)是大面積的MOs電容,可采用多個(gè)小面積的MOS電容結(jié)構(gòu)相并聯(lián)的形式,構(gòu)造大面積的MOs電容。
金屬互連線EM效應(yīng)可靠性試驗(yàn)所用的可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)是由CMOs工藝制作的具有特定條寬和長(zhǎng)度的金屬條,采用開爾文方式的四端結(jié)構(gòu)進(jìn)行電連接。連接通孔M效應(yīng)可靠性評(píng)價(jià)的測(cè)試結(jié)構(gòu)是單個(gè)或多個(gè)通孔,采用開爾文方式的四端結(jié)構(gòu)進(jìn)行電連接。
NBTI效應(yīng)可靠性試驗(yàn)所用的可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)是PMOSFET單管,溝道長(zhǎng)度取CMOS工藝的特征值,源、柵、漏和襯底單獨(dú)引出,可采用多指形式拼成大寬長(zhǎng)比的PMOsFET管。NBTI效應(yīng)與PMOSFET的幾何尺寸有關(guān),可靠性測(cè)試應(yīng)考慮多種寬長(zhǎng)比的PMOSFET單管。
集成電路工藝的可靠性試驗(yàn)是針對(duì)失效機(jī)理,應(yīng)用可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu),通過(guò)封裝級(jí)或圓片級(jí)的加速試驗(yàn),獲取失效機(jī)理的可靠性參數(shù)和可靠性信息, N13T1確認(rèn)生產(chǎn)線的可靠性水平。
HCI效應(yīng)可靠性試驗(yàn)所用的可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)是MOsFET單管,溝道長(zhǎng)度取cMOs工藝的特征值,源、柵、漏和襯底單獨(dú)引出,可采用多指形式拼成大寬長(zhǎng)比的MOs管。
TDDB效應(yīng)可靠性試驗(yàn)所用的可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)是大面積的MOs電容,可采用多個(gè)小面積的MOS電容結(jié)構(gòu)相并聯(lián)的形式,構(gòu)造大面積的MOs電容。
金屬互連線EM效應(yīng)可靠性試驗(yàn)所用的可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)是由CMOs工藝制作的具有特定條寬和長(zhǎng)度的金屬條,采用開爾文方式的四端結(jié)構(gòu)進(jìn)行電連接。連接通孔M效應(yīng)可靠性評(píng)價(jià)的測(cè)試結(jié)構(gòu)是單個(gè)或多個(gè)通孔,采用開爾文方式的四端結(jié)構(gòu)進(jìn)行電連接。
NBTI效應(yīng)可靠性試驗(yàn)所用的可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)是PMOSFET單管,溝道長(zhǎng)度取CMOS工藝的特征值,源、柵、漏和襯底單獨(dú)引出,可采用多指形式拼成大寬長(zhǎng)比的PMOsFET管。NBTI效應(yīng)與PMOSFET的幾何尺寸有關(guān),可靠性測(cè)試應(yīng)考慮多種寬長(zhǎng)比的PMOSFET單管。
熱門點(diǎn)擊
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