目前商業(yè)化的GaN基藍綠光LED的外延襯底材料主要有藍寶石、硅和碳化硅3種。 MLV-030D硅因其較活潑的化學(xué)性質(zhì),因此作為GaN的外延襯底常在芯片制造過程中用化學(xué)腐蝕的方法被去除,而將LED制作成垂直結(jié)構(gòu)。但是,硅材料與GaN材料之間較大的晶格失配和熱失配,加大了硅襯底GaN夕卜延技術(shù)的難度,目前技術(shù)不夠成熟,應(yīng)用不夠廣泛。碳化硅材料是GaN夕卜延的理想襯底,但因其價格昂貴,襯底晶體質(zhì)量難以提高,且外延工藝技術(shù)、專利被少數(shù)公司壟斷,因此也未得到廣泛推廣。所以,市場上應(yīng)用最為廣泛的是藍寶石襯底,其成本適中、技術(shù)成熟。但藍寶石的硬度高(莫氏硬度為9,僅次于金剛石),不利于后續(xù)加工,且熱導(dǎo)率(25。⒓W/mK@100°C)較低,因此藍寶石襯底GaN基LED芯片需要采用研磨拋光的方法將襯底減薄,此工藝一方面能順利將晶片進行分離成單一獨立的芯粒,另一方面減少襯底導(dǎo)入的熱阻。