OPC技術(shù)雖然可以減弱光學(xué)鄰近效應(yīng),但卻無(wú)法改善圖形對(duì)比度。由于圖S2EB-DC5V形邊緣的散射會(huì)降低整體的對(duì)比度,使得光刻膠圖形不再黑白分明,而是包含了很多灰色陰影區(qū),無(wú)法得到所需圖形。然而利用圖形邊緣的相消干涉,通過(guò)移相掩膜可以顯著改善對(duì)比度。交替光圈移相掩模板(川tPSM)對(duì)石英襯底進(jìn)行刻蝕,從而在亮l/K引人相位移。指定區(qū)域可以是黑色的(鉻)、同相的(未刻蝕的石英)或異相的(刻蝕后的石英)。如果黑色圖形的一邊是刻蝕后的石英區(qū),另外一邊是沒(méi)有刻蝕的石英區(qū),那么兩個(gè)相位的相干就會(huì)形成強(qiáng)烈的對(duì)比,從而大大改善圖形對(duì)比度。但是,兩者之間的相位干涉會(huì)形成一條并不需要的邊緣,需要利用第二層掩模板對(duì)光刻膠圖形中不需要的相位邊緣進(jìn)行修正。這種方法大大增加了川tPSM的復(fù)雜度,同時(shí)也給硅片制造T藝提出了新的挑戰(zhàn)。兩次曝光要求能夠更加精確地控制套刻精度,同時(shí)也嚴(yán)重影響生產(chǎn)效率。