隨著集成電路工藝向90nm以下發(fā)展,分辨率增強技術(shù)(RET)和極端分辨率增強技術(shù)(XRET)的應(yīng)用不斷增加,如OPC、PSM和SR剡ⅨSub R∞oltltlon AsFeature)等,S5PV210AA0-LA40這些技術(shù)的應(yīng)用對檢測帶來了很大影響。S5PV210AA0-LA40由于OPC和SRAF需要增加分辨率和減小像素尺寸,從而大大增加了對小缺陷的敏感度,對缺陷發(fā)現(xiàn)率也提出了更高的要求;另外,由于PSM造成的刻線的3D結(jié)構(gòu),新的缺陷種類,以及處理大量數(shù)據(jù)的能力都對缺陷檢測提出了更高的要求。⒛05年KL肛Ten∞r(nóng)公司推出的基于Tcr稿can TR平臺的新的檢測方式,可以處理RET造成的缺陷。它包括STARllght2(SL2)、反射光檢測、芯片與數(shù)據(jù)庫間的三光束檢測(Totol△e)三部分,其中反射光檢測包括芯片與芯片之間和芯片與數(shù)據(jù)庫之間。

   STARlight2的檢測方式運用了創(chuàng)新的影像處理技術(shù)。利用STAR吣ht2,硅片代工廠可以實現(xiàn)高效率、低成本的掩膜再定檢,從而保持I藝窗口的最大化,進而達到最高的生產(chǎn)良率。STAR坨ht2改良的檢測方式使得缺陷檢測能夠在高密度的圖形區(qū)域,甚至在掩模板的圖形外框與切割道之間進行檢測。隨著193nm光刻技術(shù)的廣泛應(yīng)用,掩模板上霧狀缺陷顯著增加,這是由于掩模板清洗時化學(xué)試劑在強DUV照射下發(fā)生化學(xué)反應(yīng),在掩模板上形成了霧狀缺陷。對于90nm以下工藝節(jié)點,Fab需要增加對掩模板的反復(fù)檢測,以降低霧狀缺陷對良率的影響。