1,ULsI中對光刻技術(shù)的基本要求是什么?

   2.什么是光刻?光刻系ICS1893AF統(tǒng)的主要指標(biāo)有哪些?

   3.簡述硅集成電路平面制造工藝流程中常規(guī)光刻I序正確的T藝步驟。

   4.光刻技術(shù)中的常見問題有哪些?

   5.光刻置藝對掩模版有哪些質(zhì)量要求?

   6.簡述集成電路的常規(guī)掩模版制備的I藝流程。

   7.簡述表征光刻膠特性、性能和質(zhì)量的參數(shù)。

   8.簡述負(fù)性光致抗蝕劑曝光前和曝光后在其顯影溶劑中的溶解特性差異,并敘述正性光致抗蝕劑曝光前和曝光后在其顯影溶劑中的溶解特性差異。

   9.簡述光刻膠的成分特征。

   10,光學(xué)分辨率增強技術(shù)主要包括哪些?

   11.紫外光的常見曝光方法有哪些?

   12,后光刻時代有哪些光刻新技術(shù)?

   13.光刻設(shè)備主要有哪些?

   14,理想的刻蝕工藝具有什么特點?

   15.影響刻蝕工藝的因素有哪些?

   16.簡述濕法刻蝕的步驟。

   17,干法刻蝕是如何分類和定義的?

   18.常見的終點檢測設(shè)各有哪些?