電路約270O0個(gè)元件,存儲(chǔ)單元用多晶硅做PBL38620/1R1負(fù)載,外圍電路用耗盡型M(E管做負(fù)載,采用標(biāo)準(zhǔn)5um硅柵等平面工藝,芯片尺寸為3.3rruu×4.8m,在7511ull的硅片上對(duì)稱插人5個(gè)測(cè)試圖形。

   微電子測(cè)試圖形的特點(diǎn):主要測(cè)試點(diǎn)排列在測(cè)試圖形外圍,18個(gè)主要測(cè)試點(diǎn)與電路芯片一樣,可使用相同的固定探針卡;每個(gè)電路芯片旁,放置了多晶硅負(fù)載電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu),用于檢測(cè)整個(gè)硅片上電阻的均勻性,以及由于光刻套偏時(shí),濃摻雜的n+源漏橫向擴(kuò)散對(duì)多晶電阻值的影響,彌補(bǔ)了插人式測(cè)試圖形采集數(shù)據(jù)的不足;除含有薄層電阻、電容、晶體管(土曾強(qiáng)和耗盡)、CD尺寸等常規(guī)測(cè)試結(jié)構(gòu)外,特別針對(duì)存儲(chǔ)器電路工藝結(jié)構(gòu)的特點(diǎn),設(shè)計(jì)了幾組隨機(jī)缺陷測(cè)試結(jié)構(gòu)。

   本章介紹了3種工藝監(jiān)控方法:實(shí)時(shí)監(jiān)控、工藝檢測(cè)片和集成結(jié)構(gòu)測(cè)試圖形。實(shí)時(shí)監(jiān)控,是先進(jìn)的工藝監(jiān)控方法,有全自動(dòng)特點(diǎn)。工藝檢測(cè)片方法是對(duì)具體工藝環(huán)節(jié)的檢測(cè)片進(jìn)行工藝參數(shù)測(cè)試從而實(shí)現(xiàn)工藝監(jiān)控的方法,闡述了主要單項(xiàng)工藝:氧化、光刻、擴(kuò)散、離子注入、外延及硅襯底各檢測(cè)片的檢測(cè)內(nèi)容和檢測(cè)方法。集成結(jié)構(gòu)檢測(cè)圖形是通過對(duì)共片式檢測(cè)結(jié)構(gòu)圖形進(jìn)行檢測(cè)從而實(shí)現(xiàn)工藝監(jiān)控的方法,介紹了集成結(jié)構(gòu)圖形方式、功能,以及常用的結(jié)構(gòu)圖形。