對(duì)CMOS電路,由于它結(jié)構(gòu)上的二元性,實(shí)際證明功能測(cè)試與JrrⅪ測(cè)試相結(jié)合,VEJ331M1V1010-TR0比其他基于失效模型的測(cè)試圖形更有效。分析CMOS電路的開路/短路錯(cuò)誤可以知道:①對(duì)于任何的開路失效,需要兩個(gè)測(cè)試向量,前一個(gè)在輸出端產(chǎn)生一個(gè)邏輯0(1),后一個(gè)檢驗(yàn)其是否能翻轉(zhuǎn);②對(duì)于任意短路錯(cuò)誤,總有一些測(cè)試向量會(huì)產(chǎn)生一個(gè)由電源yn)至刂地的通路,這可以通過監(jiān)視電源靜態(tài)電流幾))發(fā)現(xiàn),也就是△lEQ測(cè)試。圖14-16所示為一個(gè)p管短路的CM(B反相器及其電流、電壓波形。

   圖14-16 一個(gè)p管短路的CMOS反相器及其電流、電壓波形

   CMOS電路電流監(jiān)測(cè)的理論最早是由Le訪在1981年提出的。比較圖1416(b)中電路在正常情況下與出現(xiàn)短路失效時(shí)的電流變化,可以發(fā)現(xiàn)兩者只有在過渡狀態(tài)完成后有明顯的區(qū)別。