本章首先論述了集成電路芯片封裝技術(shù),包括封裝的作用和地位、封裝類型、幾種典TA31139FN型的封裝技術(shù)和未來封裝技術(shù)展望;其次闡述了集成電路測(cè)試技術(shù),包括數(shù)字電路測(cè)試方法、數(shù)字電路失效模型、準(zhǔn)靜態(tài)電流測(cè)試分析法、模擬電路及數(shù)�；旌想娐窚y(cè)試和未來測(cè)試技術(shù)的展望。

   單元習(xí)題五

   l,LsI對(duì)多層互連系統(tǒng)的要求是什么?

   2.簡(jiǎn)述多層互連工藝流程。

   3,以n阱的CMOS工藝為例介紹反相器的CMOS工藝流程。

   4.△藝檢測(cè)技術(shù)的發(fā)展方向是什么?

   5.微電子測(cè)試圖形的功能是什么?

   6,簡(jiǎn)述微電子測(cè)試圖形的配置方式。

   7.微電子封裝通常具各什么作用?

   8.簡(jiǎn)述微電子封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。

   9.數(shù)字電路的測(cè)試方法包括哪些及各自的優(yōu)缺點(diǎn)是什么?

   10.數(shù)字集成電路測(cè)試中通�？紤]的失效類型有哪些?

   11,模擬電路失效類型有哪些?

   12.VI'sI的發(fā)展對(duì)測(cè)試技術(shù)有哪些挑戰(zhàn)?

   13,DFT的基本原則是什么?