底部?jī)?nèi)切(undercut):與底部站腳相反
發(fā)布時(shí)間:2017/10/28 10:12:49 訪問次數(shù):1228
底部?jī)?nèi)切(undercut):與底部站腳相反,內(nèi)切是由于光刻膠底部的酸性較高,底部的去保護(hù)反應(yīng)比其他地方的高。解決的思路正好同上面的相反。RLF7030T-3R3M4R1
T型頂(t-topping):T型頂是由于工廠里面的空氣中含有堿性(base)成分,如氨氣、氨水(ammol△h),胺類有機(jī)化合物(ami【△e),對(duì)光刻膠頂部的滲透中和了一部分光酸,導(dǎo)致頂部局部線寬變大,嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致線條粘連。解決方法是嚴(yán)格控制光刻區(qū)的空氣的堿含量,通常要小于⒛ppb(十億分之一),而且盡量縮短曝光后到后烘的時(shí)間(post exposureDelay)。
頂部變圓(top roumding):一般由于在光刻膠頂部照射到的光強(qiáng)比較大,而當(dāng)光刻膠的顯影對(duì)比度不太高時(shí),這部分增加的光會(huì)導(dǎo)致增加的溶解率,于是造成頂部變圓。線寬粗糙度(linewidth roughness):線寬粗糙度前面已經(jīng)討論過。 高寬比/圖形傾倒(aspect ratio/pattern∞llapse):高寬比之所以被討論是由于在顯影過程中,顯液、去離子水等在顯影完了后的光刻膠圖形當(dāng)中會(huì)產(chǎn)生由表面張力形成的橫向的拉力,如圖7.39所示。對(duì)于密集圖形,由于兩邊的拉力大致相當(dāng),問題不是太大。但是,對(duì)于密集圖形邊緣的圖形,如果高寬比較大,便會(huì)受到單邊的拉力。加上顯影過程當(dāng)中較高速旋轉(zhuǎn)的擾
動(dòng),圖形可能發(fā)生傾倒。實(shí)驗(yàn)表明,一般高寬比 在3:1以上會(huì)比較危險(xiǎn)。
底部殘留(scumming):底部殘留原因一般為底部光刻膠對(duì)光的吸收不夠,而造成的部分顯影現(xiàn)象。為了提高光刻膠的分辨率,需要盡量減少光酸的擴(kuò)散長(zhǎng)度,而由于光酸擴(kuò)散帶來的空間顯影均勻化便減少了。這樣,空間的粗糙程度加大了。底部殘留一般可以通過優(yōu)化照明條件、掩膜版線寬偏置(mask bias),以及烘焙溫度和時(shí)間,以提高空間像對(duì)比度,提高單位面積的曝光量來減少。
底部?jī)?nèi)切(undercut):與底部站腳相反,內(nèi)切是由于光刻膠底部的酸性較高,底部的去保護(hù)反應(yīng)比其他地方的高。解決的思路正好同上面的相反。RLF7030T-3R3M4R1
T型頂(t-topping):T型頂是由于工廠里面的空氣中含有堿性(base)成分,如氨氣、氨水(ammol△h),胺類有機(jī)化合物(ami【△e),對(duì)光刻膠頂部的滲透中和了一部分光酸,導(dǎo)致頂部局部線寬變大,嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致線條粘連。解決方法是嚴(yán)格控制光刻區(qū)的空氣的堿含量,通常要小于⒛ppb(十億分之一),而且盡量縮短曝光后到后烘的時(shí)間(post exposureDelay)。
頂部變圓(top roumding):一般由于在光刻膠頂部照射到的光強(qiáng)比較大,而當(dāng)光刻膠的顯影對(duì)比度不太高時(shí),這部分增加的光會(huì)導(dǎo)致增加的溶解率,于是造成頂部變圓。線寬粗糙度(linewidth roughness):線寬粗糙度前面已經(jīng)討論過。 高寬比/圖形傾倒(aspect ratio/pattern∞llapse):高寬比之所以被討論是由于在顯影過程中,顯液、去離子水等在顯影完了后的光刻膠圖形當(dāng)中會(huì)產(chǎn)生由表面張力形成的橫向的拉力,如圖7.39所示。對(duì)于密集圖形,由于兩邊的拉力大致相當(dāng),問題不是太大。但是,對(duì)于密集圖形邊緣的圖形,如果高寬比較大,便會(huì)受到單邊的拉力。加上顯影過程當(dāng)中較高速旋轉(zhuǎn)的擾
動(dòng),圖形可能發(fā)生傾倒。實(shí)驗(yàn)表明,一般高寬比 在3:1以上會(huì)比較危險(xiǎn)。
底部殘留(scumming):底部殘留原因一般為底部光刻膠對(duì)光的吸收不夠,而造成的部分顯影現(xiàn)象。為了提高光刻膠的分辨率,需要盡量減少光酸的擴(kuò)散長(zhǎng)度,而由于光酸擴(kuò)散帶來的空間顯影均勻化便減少了。這樣,空間的粗糙程度加大了。底部殘留一般可以通過優(yōu)化照明條件、掩膜版線寬偏置(mask bias),以及烘焙溫度和時(shí)間,以提高空間像對(duì)比度,提高單位面積的曝光量來減少。
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