(1)它不需要基于先前的對使用照明條件、掩膜版圖形優(yōu)化的經(jīng)驗(yàn)而制定的規(guī)則。它只需要用戶給出所有關(guān)鍵地方的圖形尺寸規(guī)格,以定義代價(jià)函數(shù)。O1.5440-VX3MH-LF

   (2)它不需要針對亞衍射散射條使用的規(guī)則,相反地,它可以白動產(chǎn)生亞衍射散射條,閃為整個(gè)掩膜版的每一個(gè)圖形單元都被放在了優(yōu)化之列。如果需要,亞衍射散射條會被白動合成。

  (3)這種方法也可以用于對照明條件的初始值給出優(yōu)化的照明條件。其實(shí),它也是一種照明一掩膜優(yōu)化。

   逆光刻的幾個(gè)案例如圖7.100和圖7.101展示L~l。

   圖7,100 逆光刻比起傳統(tǒng)的“照明條件優(yōu)化十鄰近效應(yīng)修正”給一個(gè)15nm的同步隨機(jī)存儲器帶來F更加大的能量寬裕度  .