總之,刻蝕氣體對通孔/溝槽形狀的影響在基于先通孔雙大馬士革技術中進行了評估。 M009T1不論是刻蝕通孔還是溝槽,富含聚合物的刻蝕氣體被證明都會導致錐形形狀。如果CD和深度可以被很好地控制,錐形形狀應該是可以接受的�；⌒螠喜坌螤钔ǔ碓从诨一疘藝,不過低壓的灰化T藝可以在某種程度上減弱這個問題。CF‘I'RM丁藝由于SiN對⒏O2低的選擇性,可以導致頂部圓弧的形狀。頂部圓弧形狀會引起更差的VBD。缺乏聚合物的NF3I冫RM T藝則會帶有側向刻蝕的溝槽形狀,從可靠性方面考慮,也需要避免。

   鋁墊刻蝕

   作為芯片的連線材料,鋁和鋁合金「241已經廣泛地用于以銅互連為邏輯后端工藝的制造工藝中。在65nm/90nm節(jié)點邏輯技術的下藝開發(fā)期間,專門設計的各種產品的圖形密度差異,對刻蝕工藝開發(fā)提出了挑戰(zhàn)。挑戰(zhàn)主要來自圖形密度變化引人的宏觀的和微觀的刻蝕負載。更具體地說,前者通常與后鋁墊刻蝕中光刻膠不同的透射率(TR)腐蝕窗口有關,而后者與鋁線(密)和鋁墊(疏)之間的形貌負載相關。低透射率在刻蝕中常常產生更多的聚合物,這肯定會提供更多的聚合物來保護鋁的側壁,因而將避免可能的短路的腐蝕窗口擴大了。然而,較多的聚合物傾向于加重微負載效應,導致不同產品在可靠性方面連接電阻前后不一致。事實上,這是一個折中的工作,即在同一時間要解決宏觀負載和微觀負載效應的問題。