總之,刻蝕氣體對通孔/溝槽形狀的影響在基于先通孔雙大馬士革技術(shù)中進(jìn)行了評估。 M009T1不論是刻蝕通孔還是溝槽,富含聚合物的刻蝕氣體被證明都會導(dǎo)致錐形形狀。如果CD和深度可以被很好地控制,錐形形狀應(yīng)該是可以接受的�；⌒螠喜坌螤钔ǔ碓从诨一疘藝,不過低壓的灰化T藝可以在某種程度上減弱這個問題。CF‘I'RM丁藝由于SiN對⒏O2低的選擇性,可以導(dǎo)致頂部圓弧的形狀。頂部圓弧形狀會引起更差的VBD。缺乏聚合物的NF3I冫RM T藝則會帶有側(cè)向刻蝕的溝槽形狀,從可靠性方面考慮,也需要避免。

   鋁墊刻蝕

   作為芯片的連線材料,鋁和鋁合金「241已經(jīng)廣泛地用于以銅互連為邏輯后端工藝的制造工藝中。在65nm/90nm節(jié)點(diǎn)邏輯技術(shù)的下藝開發(fā)期間,專門設(shè)計(jì)的各種產(chǎn)品的圖形密度差異,對刻蝕工藝開發(fā)提出了挑戰(zhàn)。挑戰(zhàn)主要來自圖形密度變化引人的宏觀的和微觀的刻蝕負(fù)載。更具體地說,前者通常與后鋁墊刻蝕中光刻膠不同的透射率(TR)腐蝕窗口有關(guān),而后者與鋁線(密)和鋁墊(疏)之間的形貌負(fù)載相關(guān)。低透射率在刻蝕中常常產(chǎn)生更多的聚合物,這肯定會提供更多的聚合物來保護(hù)鋁的側(cè)壁,因而將避免可能的短路的腐蝕窗口擴(kuò)大了。然而,較多的聚合物傾向于加重微負(fù)載效應(yīng),導(dǎo)致不同產(chǎn)品在可靠性方面連接電阻前后不一致。事實(shí)上,這是一個折中的工作,即在同一時(shí)間要解決宏觀負(fù)載和微觀負(fù)載效應(yīng)的問題。