如圖8,57(a)所示,在晶邊刻蝕中,遮擋盤用來實現(xiàn)除去晶邊邊部分(最大到1mm寬)。 QT2022C2遮擋盤比晶圓本身小幾個毫米,可以保護晶圓的絕大部分不被刻蝕。圖8.57(b)顯示的是可能的缺陷源,在晶圓邊緣較低的等離子密度容易引起聚合物在晶邊的頂部和底部表面積累,這種聚合物常常由碳、氧、氮、氟組成。而且,來自不同的刻蝕I藝的多層聚合物能夠形成強而黏的有機鍵,這些鍵在后續(xù)的工藝步驟中將變弱。因此,從理論上講,所形成的這些聚合物層在后面的處理過程中將會剝離或脫落,ILD殘余物主要來自不良的光刻去邊(EBR),通常在晶圓邊緣的頂部,ILD沉積和刻蝕生成的聚合物可以在標準的刻蝕工藝中除去。然而,二者在晶邊底部時就不能被除去,形成可能的脫落源,導致缺陷生成。從晶圓的邊緣起,晶邊刻蝕最大的距離是0,9mm,這在光刻去邊的限制范圍內。通常在晶邊刻蝕中,C02被用作聚合物去除,NF3被用作介質去除。前者是被設計用來避免可能的低慮損傷,在晶邊刻蝕中一個要考慮的問題是處于后端I藝的晶圓可能會遭遇電弧放電,這個問題可以通過在晶邊刻蝕中優(yōu)化壓力、功率和化學氣體,在晶圓上得到較低的RF電斥而被消除。