氧化硅的濕法刻蝕,最常用 S912XEP100J5MAL的刻蝕劑氫氟酸溶液,它是借助氫氟酸與氧化硅反應(yīng),乍成氣體四氟化硅(Si「i)或氟硅酸(H2siFⅡ),對(duì)于前段、中段制程用到的氧化硅,低濃度HF溶液的刻蝕率基本L是線性,只是CVD膜層受離子植人影響會(huì)有點(diǎn)變化,不過(guò)退火以后的膜層都較穩(wěn)定;而后端制程用到的CVD形成的黑鉆石膜(BD)、氮植人碳化硅膜(NI)C)、:±5nm以下的多孔低慮膜則明顯不同,BI)和低乃大多含有C,HF溶液,刻蝕率不穩(wěn)定,為非線性,NDC則更難,膜層含有si、O、C和N,不單為非線性,HF溶液刻蝕率也很低。對(duì)于各種氧化硅膜層的擋控片的凵收.常用49%的氫氟酸(HF)處理。

   研究表明,前段CⅥ)氧化硅隨著離子植人量的增加,對(duì)稀釋的HF刻蝕率不斷增加;而隨著離子植人能量的增加,氧化硅對(duì)稀釋的HF刻蝕率減小。受離子轟擊后的氧化硅.相對(duì)于沒(méi)有轟擊的氧化硅,有比較高的刻蝕率,但這種品片經(jīng)過(guò)低溫?zé)嵬嘶?大于7O0℃),氧化硅對(duì)稀釋的H「刻蝕率叉恢復(fù)到?jīng)]有離子轟擊的氧化硅一樣值。這種現(xiàn)象可以解釋為氧化硅經(jīng)過(guò)離子植人后,si-O鍵被打斷,這樣的懸鍵有極強(qiáng)的反應(yīng)性,容易與HF反映,因此,離子植人后的氧化硅有高的刻蝕率。經(jīng)過(guò)熱退火,s一和Θ自勺斷鍵叉得到恢復(fù)(S←O),所以刻蝕率跟最初氧化硅一樣。離子植人量越大,Si和(≯的斷鍵也越多,氧化碚刻蝕率就高。當(dāng)離子植人能量較低時(shí),Si一和O自勺斷鍵接近氧化硅表面,顯示高的刻蝕率;當(dāng)離子植人能量較高時(shí),si-和O一的斷鍵鉆入氧化硅深層.lFl表面斷鍵較少.顯示低的刻蝕率。