硅的濕法刻蝕包括單晶硅刻蝕和多晶硅(Poly Si)刻蝕,所用的化學品有堿性和酸性。S912XEP100J5CAG

   最常用的酸性氧化刻蝕液是硝酸(HN()Ⅱ)和氫氟酸(HF)的混合物,一般Poly Si的擋控片的回收。常用這種刻蝕液L盯�；旌弦悍纸獬龅腘O2,把接觸的硅氧化成二氧化硅.

   酸性較HF強,使用時酸槽pH值可能會升高;在緩沖刻蝕液中,超過2/的氟硅酸銨,會出現(xiàn)沉淀。硅的堿性刻蝕液如氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺(TMAH)溶液等。晶片加△中,會用到強堿作表面腐蝕或減薄,器件生產(chǎn)中,則傾向于弱堿,如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒,一部分機理是SC1中的NH10H刻蝕硅,硅的均勻剝離,同時帶走表面顆粒。在H?02濃度一定時,NH10H對Si的刻蝕率呈線性增長,并達到一個飽和值,這個飽和值也與HP02成比例;另外刻蝕率穩(wěn)定時,硅表面粗糙度隨著NHlOH濃度升高而變差L21。隨著器件尺寸縮減會引人很多新材料(如高介電常數(shù)和金屬柵極),那么在后柵極制程,多晶硅的去除常用氫氧化氨或四甲基羥胺(TMAH)溶液,制程關(guān)鍵是控制溶液的溫度和濃度,以調(diào)整刻蝕對多晶硅和其他材料的選擇比。