濕法刻蝕是一種去除膜層厚度的古老技術(shù),被廣泛應(yīng)用于很多行業(yè),由于近代半導(dǎo)體制造業(yè)的蓬勃發(fā)展, S912XEP100J4CAG這種原本宏觀刻蝕技術(shù)被推廣到IC制造業(yè),逐漸發(fā)展成為獨(dú)特的微觀刻蝕技術(shù),也就是說(shuō),現(xiàn)在晶片濕法刻蝕最大去除膜層厚度達(dá)幾個(gè)微米,最小可控制到10A以下。它的特點(diǎn)是等向性刻蝕,即化學(xué)反應(yīng)沒(méi)有方向性,而且不同膜層和不同化學(xué)品有不同反應(yīng)速率,同一種化學(xué)品不同的膜層選擇的差異性也很大。因此濕法刻蝕,隨著器件的進(jìn)一步縮減,在精確控制和選擇性方面將顯現(xiàn)它的優(yōu)勢(shì)(如45nm邏輯技術(shù)節(jié)點(diǎn)以下,使用高介電 常數(shù)和金屬柵極材料的濕法刻蝕)。