氧化硅的膜層有很多種,生成方式不同,膜層特性也不一樣。一般生成方式有爐管和化學(xué)氣相沉積(CVD)等, S912XEP100J5MAG其膜層密度有較大差異。爐管的膜層應(yīng)用于制程最初的熱氧化層、NP井和PB井離子植人的犧牲層、閘介電層等,特點(diǎn)是在硅基體上生長(zhǎng)氧化硅、熱預(yù)算高、膜層致密、品質(zhì)好;CVD的膜層用于潛溝槽隔離(STI)、閘副側(cè)壁(()F「sET)、閘主側(cè)壁 (sPACER)、最初金屬介電層(PMI))、金屬內(nèi)介電層(IMD)等,主要有前段制程的電漿增強(qiáng)型CVD膜(I)ECVD)、電漿增強(qiáng)型四乙氧基硅烷膜(PEt′E(s)、低溫氧化硅(1'TO)、90m1以下使用的高密度電漿膜(HDP)、钅5nm以下的高深寬比制程膜(HARP)和后端制程的90nn1以下的黑鉆石膜(BD)、氮植人碳化硅膜(NI)C)、45nm以下的超低介電常數(shù)膜(UI'K),這些膜的特點(diǎn)是松軟、熱預(yù)算低、品質(zhì)相對(duì)爐管稍差。膜層由于使用地方不一樣,有些需要經(jīng)過(guò)熱退火,有些需要經(jīng)過(guò)離子植人后冉退火c因而,刻蝕速率會(huì)受到薄膜的組成、密度、溶液濃度和離子植人深淺等閃素影響。一般來(lái)講,爐管氧化硅最致密,刻蝕速率小于CVD膜層;退火的膜層刻蝕速率小于沒(méi)退火的膜層;對(duì)丁UI'K膜和NI)C膜,其含有碳或氮,濕法刻蝕率相對(duì)很低。