光散射技術(shù)被I業(yè)界廣泛用于測(cè)量平面晶片表面的顆粒污染。方法是被檢測(cè)的晶片在聚焦激光束下旋轉(zhuǎn),OB3330CP大體上可形成一個(gè)反應(yīng)晶片表面特點(diǎn)的螺旋狀圖案4:1。當(dāng)激光束投射到一顆缺陷上,一少部分的人射光將向各個(gè)方向散射。一般來(lái)說(shuō),缺陷越大,散射的光就越強(qiáng)。通過(guò)這種方法,就可統(tǒng)計(jì)晶片上的所有缺陷。散射光強(qiáng)超過(guò)平均背景光的缺陷點(diǎn)被稱作光點(diǎn)缺陷(I'PI)s),基于使用散射聚苯乙烯乳膠球(PI'S)制作的校正曲線,表面檢測(cè)技術(shù)可報(bào)告出晶片表面缺陷濃度和那些缺陷的PLS等同直徑分布。KLA Tencor Surfscan系列是I業(yè)界最常用的系統(tǒng),如最先進(jìn)的系統(tǒng)sP2,在極其平坦的晶片表面上可計(jì)數(shù)小到40nm的顆粒。

   有圖案的晶片缺陷可通過(guò)光散射技術(shù)或光反射技術(shù)檢測(cè)。為了檢查局部Fx域的缺陷,有時(shí)需要高放大率,而掃捕電子顯微鏡(SEM)或穿遂電子顯微鏡(TEM)常被用到。