光散射技術被I業(yè)界廣泛用于測量平面晶片表面的顆粒污染。方法是被檢測的晶片在聚焦激光束下旋轉,OB3330CP大體上可形成一個反應晶片表面特點的螺旋狀圖案4:1。當激光束投射到一顆缺陷上,一少部分的人射光將向各個方向散射。一般來說,缺陷越大,散射的光就越強。通過這種方法,就可統(tǒng)計晶片上的所有缺陷。散射光強超過平均背景光的缺陷點被稱作光點缺陷(I'PI)s),基于使用散射聚苯乙烯乳膠球(PI'S)制作的校正曲線,表面檢測技術可報告出晶片表面缺陷濃度和那些缺陷的PLS等同直徑分布。KLA Tencor Surfscan系列是I業(yè)界最常用的系統(tǒng),如最先進的系統(tǒng)sP2,在極其平坦的晶片表面上可計數(shù)小到40nm的顆粒。

   有圖案的晶片缺陷可通過光散射技術或光反射技術檢測。為了檢查局部Fx域的缺陷,有時需要高放大率,而掃捕電子顯微鏡(SEM)或穿遂電子顯微鏡(TEM)常被用到。