眾所周知,具有高MEEF的圖形會減少全芯片的工藝窗口,所以它們在光刻工藝中不能被忽視。R1002當(dāng)復(fù)雜以及不斷縮小的圖形增強鄰近效應(yīng),顯影失敗的危險,也就是所謂的MEEF指標(biāo),就會增加。對于不相容邊沿圖形,后OPC的MEEF指標(biāo)甚至要比前0PC更差,這就打破了“OPC提高可制造性”的基本原則。雖然OPC技術(shù)的發(fā)展能夠改善MEEF,但是OPC的不相容邊沿圖形始終在65nm以及以下的技術(shù)節(jié)點上存在。對于加I廠的公司來說,從客戶那里得到光刻友好以及滿足DRC條件的設(shè)計是很關(guān)鍵的。后OPC驗證是掩膜制造前的最后一步仿真檢查。然而,區(qū)分OPC可修正和不可修正的熱點是非常必要的,原因是修正不同類型的熱點的工作是在不同公司內(nèi)完成的。我們提出一個新的方法從DFM的角度解決這個問題。采用一個圖形集合軟件,我們將會證實:給定一個缺陷列表,利用后OPC驗證,通過比較OPC處理前后的邊緣的熱點的MEEF改變,有可能區(qū)分是屬 于0PC問題還是設(shè)計問題,特別是對于那些間距緊密很難有空間進行調(diào)整的熱點圖形。我們還對CD大小變化的設(shè)計圖形也進行了研究以確定MEEF的影響。