第一步:采用研磨粒為氧化硅(SiO)的研磨液,去除大部分的氧化硅(Si()2)層,留下1Ⅱ000A至~9OQOA的氧化硅(s02)層在多晶硅門(poly)~h。QL4016-3PF100I

   第二步:采用研磨粒為氧化鈰(Ceo2)的研磨液或固定研磨液拋光,研磨終止在氮化硅(SiN‘)上,類似于sTI CMP。由于氧化鈰(Ceo2)的研磨液或固定研磨液拋光都有很高的選擇比,能達(dá)到研磨白動停止的效果,因此有很好的均勻性。

   第三步:采用研磨粒為氧化硅(Si()2)的研磨液,去除氮化硅(sIN{),研磨終止在多晶硅(poly)上。

   在三步研磨法中,第=步是最有挑戰(zhàn)性的一步,所涉及拋光材料比較復(fù)雜,要求同時 研磨氧化硅、氮化硅以及多晶硅∷種材料。研磨液很難達(dá)到均勻地研磨并白動終止在多晶硅(poly)上,另外,拋光選擇比(氧化硅:氮化硅:多晶硅)的優(yōu)化對凹陷糾正及多晶硅門的高度控制至關(guān)重要。