有很多T藝模型用來精確預測VI'SI丁藝CMP處理后的銅表面形貌1ⅡⅡ.在過去⒛年,SN74LS164MEL工業(yè)界和學術界活躍地驗證這些模型的精確性。以一個覆蓋CMP物理和化學多層級的模型為例,這個模型包括品圓和纂底相互作用、磨料和基底相互作用、磨料和晶圓相互作用以及晶圓和化學作用]。圖13.12給出F產生CMID模型流程步驟。正如我們曾經(jīng)指出的LⅡ,在芯片測試中,足夠多的測試圖形是用于建模凹陷、腐蝕、金屬層厚度波動的基本要求。利用原子力形貌(AFP)測董得到的硅片上的數(shù)據(jù)對相互作用模型進行數(shù)值校正,可以得到DFM模型。圖13。13給出r測試芯片的照片、ΛFP掃捕的方向和定位以及模擬結果和測量數(shù)據(jù)的對比。