熱載流子是MOS管漏端附近在強(qiáng)電場(chǎng)作用下具有很高能董的導(dǎo)帶電子或價(jià)帶簾穴,PIC18F13K22熱載流子可以通過(guò)多種機(jī)制注入MOS管的柵氧化層中,主要有溝道熱電子在漏端附近發(fā)生碰撞電離獲得足夠的垂直方向上的動(dòng)量而進(jìn)入到柵氧化層的溝道熱電子注人以及漏端附近碰撞離化和需崩倍增產(chǎn)生的熱電子和熱空穴注入的漏雪崩熱載流子注入。注人柵氧化層的熱載流子可以在氧化層中產(chǎn)生陷阱電荷,在器件的硅-二氧化硅界面產(chǎn)電界面態(tài),從而尋致器件性能退化,如閾值電壓的漂移、跨導(dǎo)和驅(qū)動(dòng)電流能力下降、亞閾值電流增加。工作在飽和l×的MOSFET熱載流子發(fā)光機(jī)制,主要有熱載流子對(duì)漏區(qū)電離雜質(zhì)的庫(kù)侖場(chǎng)中的軔致輻射和電子與空穴的復(fù)合發(fā)光或以上兩種機(jī)制的綜合。利用PEM,可以對(duì)熱載流子注人區(qū)域定位,研究熱載流子注人和發(fā)光機(jī)制,分析器件失效原閃。止常偏置條件下(飽和Fx)發(fā)光像和反射像疊加�？梢杂^察到發(fā)光點(diǎn),表示對(duì)柵和漏端發(fā)生了異常熱載流子注人。