當(dāng)MOS器件丁作時,載流子(電子或空穴)從源向漏移動,在漏端高電場區(qū)獲得動能。 UC3524ADWTR隨著能量的累積,這些高能載流子不再與晶格保持熱平衡狀態(tài),而是具有高于品格熱能(KT)的能量,稱熱載流子。當(dāng)熱載流子的能量超過一定的閾值就會產(chǎn)生碰撞電離(impactionization〉。碰撞電離產(chǎn)生的電子空穴對會產(chǎn)生更多的電子空穴對,從而發(fā)生雪崩效應(yīng)。有一部分熱載流子具有較高能董,能夠克服⒏/sOJ接口勢壘注人靠近漏端的氧化層。這些注人的載流子會被俘獲在柵氧化層中,或si/Si()2界面,或損壞Si∷/si()J(打斷Si―H鍵)G 從I阿導(dǎo)致器件的電學(xué)性能退化,器件不能正常工作。

    HcI壽命模型

   常用的H()I壽命模型有Ib模型,Ib/Id模型及1/Vd模型。

   Ib模型和Ib/Id模型是建立于一定的⒕條件下可以在Jbˉy#Hh線上找到rb的最大值。但通常在溝道長度小于0,1um的器件,應(yīng)力條件一般采用來推理。