一般指未通過參數(shù)性測試引起的失效,例如:額定操作電壓V汨下芯片工作頻率過低,靜態(tài)(s變an山by)時功耗超出額定范圍,等等。

   parametric失效,在空間分布上常有連續(xù)、漸進的OMAP1610F-ZZG圖形特征(pattern)。同時,往往也對于某些器件參數(shù)非常敏感。

   如圖17.11所示,從右往左看,當V1增加時,parametric失效增加,從binmap上町以很清晰地看過這種漸進過程。

   parametric的失效通常通過parametric的bin”eld(或wafer sort的原始數(shù)據(jù))和器件參數(shù)(transistor的idsat,Vt,Ioff,Metal/Poly的Rs等)做相關(guān)性分析,可以找出原因,如圖17.12所示。