在晶圓加工過(guò)程中,為了保AAT3215IJS-2.9-T1證晶圓的質(zhì)量,晶圓在加工模塊中的停留時(shí)間必須限制在規(guī)定的時(shí)間范圍內(nèi),這一要求稱為晶圓加工的滯留時(shí)間約束(Rcsidency △meCollstraints)。例如,低壓化學(xué)淀積I藝要求在真空度025~⒛toⅡ和高溫550~800℃的條件下對(duì)加工腔內(nèi)的晶圓鍍膜,其鍍膜材料為氮、氧、硅外延和多晶硅。晶圓加工結(jié)束后,其在加工模塊內(nèi)的停留時(shí)間不能超過(guò)⒛s,否則,晶圓表面會(huì)被高溫破壞,甚至造成晶圓破損[10’11]。嚴(yán)格的滯留時(shí)問(wèn)約束可能導(dǎo)致不存在可行調(diào)度,因此集束型裝備調(diào)度問(wèn)題研究的一個(gè)方向是可調(diào)度性。