兩集束型裝備
發(fā)布時(shí)間:2017/12/5 21:03:39 訪問次數(shù):464
問題描述
圖5-1是兩個(gè)單集束型裝備通過單緩沖模塊耦合而成的兩集束型裝備。兩集NDS0610束型裝各由兩個(gè)單集束型裝備Cl和C2組成,加工模塊是單晶圓加工設(shè)備,單緩沖模塊作為C1和C2間的共享緩沖空間(只有一個(gè)晶圓空間),機(jī)械手旋轉(zhuǎn)移動(dòng)完成晶圓在裝載室、加工模塊和緩沖模塊之間的作業(yè)。晶圓從輸入裝載室進(jìn)入,定位后順序經(jīng)過C1的每個(gè)工位,然后通過緩沖模塊進(jìn)入C2,在C2完成一系列加工后,再次通過緩沖模塊返回Cl,并經(jīng)過冷卻返回輸出裝載室。生產(chǎn)運(yùn)作采用批量加工的循環(huán)式生產(chǎn)方式,除了要滿足單集束型裝備調(diào)度的條件外,還要滿足兩機(jī)械手在單緩沖模塊中不能發(fā)生碰撞。
在系統(tǒng)達(dá)到穩(wěn)態(tài)后的每個(gè)生產(chǎn)周期內(nèi),機(jī)械手搬運(yùn)作業(yè)和加工模塊加工作業(yè)重復(fù)相同活動(dòng)。這類問題的調(diào)度目標(biāo)是確定一個(gè)周期內(nèi)的一組機(jī)械手重復(fù)執(zhí)行的搬運(yùn)作業(yè)序列,以便最小化生產(chǎn)周期,也就是最大化產(chǎn)能。
問題描述
圖5-1是兩個(gè)單集束型裝備通過單緩沖模塊耦合而成的兩集束型裝備。兩集NDS0610束型裝各由兩個(gè)單集束型裝備Cl和C2組成,加工模塊是單晶圓加工設(shè)備,單緩沖模塊作為C1和C2間的共享緩沖空間(只有一個(gè)晶圓空間),機(jī)械手旋轉(zhuǎn)移動(dòng)完成晶圓在裝載室、加工模塊和緩沖模塊之間的作業(yè)。晶圓從輸入裝載室進(jìn)入,定位后順序經(jīng)過C1的每個(gè)工位,然后通過緩沖模塊進(jìn)入C2,在C2完成一系列加工后,再次通過緩沖模塊返回Cl,并經(jīng)過冷卻返回輸出裝載室。生產(chǎn)運(yùn)作采用批量加工的循環(huán)式生產(chǎn)方式,除了要滿足單集束型裝備調(diào)度的條件外,還要滿足兩機(jī)械手在單緩沖模塊中不能發(fā)生碰撞。
在系統(tǒng)達(dá)到穩(wěn)態(tài)后的每個(gè)生產(chǎn)周期內(nèi),機(jī)械手搬運(yùn)作業(yè)和加工模塊加工作業(yè)重復(fù)相同活動(dòng)。這類問題的調(diào)度目標(biāo)是確定一個(gè)周期內(nèi)的一組機(jī)械手重復(fù)執(zhí)行的搬運(yùn)作業(yè)序列,以便最小化生產(chǎn)周期,也就是最大化產(chǎn)能。
熱門點(diǎn)擊
- 觸電對人體的危害主要有電傷和電擊兩種
- 經(jīng)時(shí)介電層擊穿(TDDB)
- 背散射電子
- Voltage Contrast電壓襯度
- 二次電子產(chǎn)額隨原子序數(shù)的變化不大
- 打線鍵合(Wire Bc,nd)
- 電壓襯度(voltage contraCt
- 車間調(diào)度分類
- 氮化硅HF/EG濕法刻蝕
- 失效分析基本原則
推薦技術(shù)資料
- 基準(zhǔn)電壓的提供
- 開始的時(shí)候,想使用LM385作為基準(zhǔn),HIN202EC... [詳細(xì)]