硅片加工涉及多次薄膜的生長(zhǎng)及去除過(guò)程,目的是形成具有一定功能的電路層。建立NE3210S01器件結(jié)構(gòu)和多層連線會(huì)很自然地形成臺(tái)階,使硅片表面不平坦。芯片內(nèi)電路層數(shù)越多,這種表面起伏越嚴(yán)重,這對(duì)后續(xù)的圖形形成、芯片的成品率和長(zhǎng)期可靠性有非常嚴(yán)重的影響,所以要對(duì)硅片進(jìn)行平坦化(拋光)處理。⒛世紀(jì)qO年代以來(lái),化學(xué)機(jī)械平坦化已成為最重要的平坦化技術(shù)。化學(xué)機(jī)械拋光是一種表面全局平坦化技術(shù),它通過(guò)晶圓和一個(gè)拋光頭之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)來(lái)平坦化晶圓表面。硅片與拋光頭之間有磨料并同時(shí)施加壓力:表面材料與磨料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成一層相對(duì)容易去除的表面層,磨料中的研磨劑可較容易地將這一層的突出部分磨去,使晶圓表面達(dá)到全局性的平坦化。常見(jiàn)的拋光有氧化硅拋光、金屬拋光等。

    圖5-4中的化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)各由4個(gè)單集束型裝備組成。裝備l#和3#是運(yùn)輸(Transfcr)裝備,只有兩個(gè)單緩沖模塊,沒(méi)有加工模塊,緩沖模塊起中轉(zhuǎn)傳輸作用l+l。在分解時(shí),運(yùn)輸裝備可被忽略掉,但要增加相鄰緩沖模塊等待時(shí)間,這類裝備常見(jiàn)于12in半導(dǎo)體生產(chǎn)線上。因此,圖5-4的化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備可被視為由裝備2#和4#構(gòu)成的兩

集束型裝備,將其分解為C2和C4兩個(gè)單集束型裝備,其C2的虛擬加工時(shí)間為夕23,C4的虛擬裝載室投料時(shí)間為夕40。另外,在曰23和曰40上還要增加凡的搬運(yùn)時(shí)間。起存儲(chǔ)和傳輸晶圓作用,因此無(wú)須對(duì)R1進(jìn)行調(diào)度。