化學(xué)氣相淀積是兩集束型裝備,兩集束型裝備是多集束型裝備的最簡(jiǎn)單形式,如圖5-13所示。LST策略也同樣適用于兩集束型裝備。 NE5532P

   圖⒌13 化學(xué)氣相淀積設(shè)備示意圖

   淀積是半導(dǎo)體制造過(guò)程中最常用的一種生成薄膜的加工工藝,生成的膜材料有二氧化硅、氮化硅、多晶硅等。薄膜制備的常見(jiàn)設(shè)備有物理氣相淀積和化學(xué)氣相淀積設(shè)備,后者的使用在半導(dǎo)體制造過(guò)程中更為多見(jiàn)。化學(xué)氣相淀積是通過(guò)氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在晶圓表面淀積一層固體薄膜的工藝。如圖5-13所示的化學(xué)氣相淀積設(shè)各是一個(gè)兩集束型裝.