- sACVD薄膜生長的選擇性2017/10/21 12:36:21 2017/10/21 12:36:21
- 像所有其他SACVD03TEOS工藝一樣,HARP沉積工藝也對襯底材料表現出了很高的敏感性。K4H561638H-UCCC如表4.7所示,HARP在si02上比在⒏N上的沉積速率慢。這種敏感性與...[全文]
- 萬用表選擇開關撥至R×1擋2017/10/20 21:41:28 2017/10/20 21:41:28
- 萬用表選擇開關撥至R×1擋,對于1~6A單向晶閘管,紅表筆接K極,黑表筆同時接通G、A極,NCP1200AD100R2在保持黑表筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極,指針應指示幾十歐至100Ω,此時晶閘管...[全文]
- 示波器外殼對地需絕緣2017/10/19 22:13:46 2017/10/19 22:13:46
- 一臺⒛MHz雙蹤示波器,若示波器的電源線是二芯插頭的,則應注意“地線”不能接,RC4200M示波器外殼對地需絕緣,僅使用一蹤探頭,示波器的X軸、y軸均需校準。若無高壓示波器探頭,應用電阻做一個分...[全文]
- 覆蓋層2017/10/18 21:01:57 2017/10/18 21:01:57
- 高乃介質的另一個挑戰(zhàn)是yt的調節(jié)。多晶硅柵極可以通過不同的摻雜實現(P型和N型),金屬柵極則需要找到適合PMOS和NMOS的具有不同功函數的金屬材料。NCP3170ADR2G不幸的是大多數柵極金...[全文]
- 界面層2017/10/18 20:59:12 2017/10/18 20:59:12
- 高乃介質的一個挑戰(zhàn)是維持器件的高驅動電流,如前所述,在高乃介質上面采用金屬電極取代多晶硅,NCP305LSQ15J可以減少溝道內電子遷移率損失,但還需要在高慮介質和⒏基底之間加入Si()2/Si...[全文]
- 源漏極及輕摻雜源漏極的摻雜濃度相對越來越高2017/10/18 20:45:54 2017/10/18 20:45:54
- 而源漏極及輕摻雜源漏極的摻雜濃度相對越來越高,這就要求作為柵極氧化層的氮氧化硅中,NC7SV74K8X氮的含量越來越高,同時盡可能的靠近上表面。在這種情況下,等離子體氮化工藝就應運而生[3dJ。...[全文]
- 垂直溝道型三維電荷俘獲存儲器單元與能帶結構2017/10/17 21:37:38 2017/10/17 21:37:38
- 目前,各個存儲器公司也相繼發(fā)布了各自的閃存量產計劃。相比于三維浮柵閃存,維電荷俘獲閃存具有更好的器件可靠性,垂直溝道型三維電荷俘獲存儲器目前已成為國際上最主流的三維存儲器,為了搶占市場有利地位,...[全文]
- 存儲器技術和制造工藝 2017/10/17 21:18:42 2017/10/17 21:18:42
- 在廣泛應用于計算機、消費電子和通信領域的關鍵技術中,半導體存儲器技術占有一席之地。T435-600B-TR存儲器的類別包括動態(tài)隨機讀取存儲器(DRAM)、靜態(tài)隨機讀取存儲器(SRAM)、非易失性...[全文]
- 磁通線是電流流經一個固定或變化的阻抗時產生的2017/10/16 21:01:23 2017/10/16 21:01:23
- 磁通線是電流流經一個固定或變化的阻抗時產生的。在一個PCB走線網絡中,RClamp0522P.TCT阻抗總是存在于PCB走線、組件的焊接線或過孔中。果磁通存在于PCB內,射頻能量的各種傳送通路也...[全文]
- 離子與襯底的作用主要是對襯底表面的撞擊2017/10/15 17:58:38 2017/10/15 17:58:38
- 離子與襯底的作用主要是對襯底表面的撞擊,這有可能使得已淀積物發(fā)生濺射,濺射物以PIC12F675不同角度離開時,有一些會淀積在高臺階邊緣,從而改善臺階覆蓋。濺射也影響薄膜的密度和附著性。...[全文]
- 與襯底分子(或原子)會形成化學鍵(或化學吸附)來降低系統(tǒng)自由能2017/10/15 17:34:22 2017/10/15 17:34:22
- 在淀積薄膜制備工藝中相對于后面第8章物理氣相淀積而言,薄膜附著性好,與襯底結合得更加牢固。PIC12F509這是因為化學氣相淀積工藝制各的薄膜物的分子(或原子)是通過化學反應在襯底表面生成的,自...[全文]
- 沉積多晶硅層和硬掩模層2017/10/14 11:05:39 2017/10/14 11:05:39
- 心區(qū)域和I/O區(qū)域都已經生長了晶體管以后,沉積多晶硅層和硬掩模層(薄的⒏ON和PECVD二氧化硅)。R1EX24256BSAS0I在沉積了柵層疊之后,將硬掩模進行圖形化(使用掩模poly,并用對...[全文]
- n-阱和p-阱的形成2017/10/14 11:02:31 2017/10/14 11:02:31
- 阱和″阱的形成如圖3,5所示,包括掩模形成和穿過薄犧牲氧化層(SAGox)的離子注人。R1EX24256BSAS0A⒈阱和廣阱的形成順序對最終晶體管的性能影響很小。后面會在ll阱中...[全文]
- 隔離的形成2017/10/14 11:00:13 2017/10/14 11:00:13
- 淺槽隔離(STI)的形成如圖3.4所示,I藝參數對應于90nm節(jié)點。I藝首先對硅襯底進行熱氧化(被稱作初始氧化,initia⒈ox),厚度100A,然后通過LPCVD的方式沉積一層氮化硅(130...[全文]
- 邏輯技術及工藝流程 2017/10/14 10:55:30 2017/10/14 10:55:30
- 本節(jié)將介紹CMOS超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎知識,重點將放在I藝流程的概要和不同I藝步驟對器件及電路性能的影響上。圖3.1顯示了一個典型的現代CMC)S邏輯芯片(以65nm節(jié)點為例)的結...[全文]
- 用于NMOS器件的可以是鉿化物與一種帶有更多正電性的絕緣材料2017/10/14 10:40:22 2017/10/14 10:40:22
- 另一種實現高慮絕緣材料/金屬柵電極的技術解決方案是,沉積兩種不同的絕緣材料來取代不同功函數的金屬。R1EX24064ATAS0A用于NMOS器件的可以是鉿化物與一種帶有更多正電性的絕緣材料,如氧...[全文]
- 自對準硅化物工藝2017/10/14 10:30:41 2017/10/14 10:30:41
- 源漏區(qū)的單晶硅和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率,白對準硅化物(salicide)工藝能夠同時減小源/漏電極和柵電極的薄膜電阻R1EX24064ASAS0A,降低接觸電阻,并縮短與...[全文]
- 信號的傳遞發(fā)生在信號狀態(tài)改變的瞬間2017/10/13 21:46:47 2017/10/13 21:46:47
- 通常認為如果數字邏輯電路的頻率達到或者超過0~s~~sOMHz,而且工作在這個頻率之上的電路已經占到了整個電子系統(tǒng)的一部分(如1/3),就稱為高速電路。NCP4894MNR2G實際上,信號邊沿的...[全文]
- 地的銅填充簡稱覆銅2017/10/13 21:31:33 2017/10/13 21:31:33
- 地的銅填充簡稱覆銅,又稱灌銅,就是將PCB上閑置的空間作為基準面,然后用固體銅填充。NCP1523BFCT2G覆銅的意義在于:減小地線阻抗,提高抗干擾能力;降低壓降,提高電源效率;與地線相連,以...[全文]
- 對于數字電路優(yōu)先使用地線網格2017/10/13 21:30:10 2017/10/13 21:30:10
- 在雙面PCB中,對于數字電路優(yōu)先使用地線網格,這種布線方式可以減少接地阻抗、接地回路和信號環(huán)路。地線和電源線的寬度最少應為1.5mm。NCP1522BSNT1G另外的一種布局是將接...[全文]
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