- 節(jié)點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的問(wèn)題氣無(wú)解2017/11/30 21:37:36 2017/11/30 21:37:36
- (1）節(jié)點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的問(wèn)題氣無(wú)解。FBMH2012HM221-T(2)問(wèn)題氣有解但其值大于等于z值。若問(wèn)題氣有可行解,則要比較此可行解與Z值的大小,若前者較小,貝刂更新Z值,并作為可行...[全文]
- 大部分方法具備準(zhǔn)確描述系統(tǒng)組織和生產(chǎn)過(guò)程的能力2017/11/29 22:12:26 2017/11/29 22:12:26
- 目前,可用于集束型裝備建模方法可分為基于馬爾科夫模型、數(shù)學(xué)規(guī)劃模型、KC333/256SL6JE時(shí)序圖模型、Pctri網(wǎng)模型及仿真模型等。其中,大部分方法具備準(zhǔn)確描述系統(tǒng)組織和生產(chǎn)過(guò)程的能力,但...[全文]
- 預(yù)測(cè)和提高裝備生產(chǎn)率的過(guò)程2017/11/29 21:47:54 2017/11/29 21:47:54
- 還有一些商業(yè)性集束型裝各仿真軟件,例如,應(yīng)用材料公司(ApplicdMatrialsCorpor破ion)開(kāi)發(fā)的商業(yè)性集束型裝各仿真工具AppliedToolSimTM可以使用戶快速準(zhǔn)備預(yù)測(cè)吞吐...[全文]
- 多集束型裝備調(diào)度的難點(diǎn)如下2017/11/26 14:44:50 2017/11/26 14:44:50
- 多集束型裝備調(diào)度的難點(diǎn)如下。A915BY-6R8M(l)對(duì)于乃晶圓周期調(diào)度,虍取何值時(shí)能達(dá)到最大產(chǎn)能。由于乃=1時(shí),易于被操作人員理解,也容易實(shí)現(xiàn),因此在工業(yè)中應(yīng)用廣泛。然而,是否...[全文]
- 主要討論集束型晶圓制造裝備重入和混流調(diào)度2017/11/24 20:35:03 2017/11/24 20:35:03
- 本書(shū)力圖總結(jié)作者和國(guó)內(nèi)外同行在集束型晶圓制造裝備調(diào)度問(wèn)題方面所取得的一系列研究成果,主要討論集束型晶圓制造裝備重入和混流調(diào)度、H1102T集束型晶圓制造裝備的多機(jī)械手調(diào)度、集束型晶圓制造裝各的滯...[全文]
- 可測(cè)性設(shè)計(jì) 2017/11/22 21:01:03 2017/11/22 21:01:03
- 能性可測(cè)性沒(méi)計(jì)(designfortestability,dFT)是在微電子芯片產(chǎn)品設(shè)計(jì)屮加入F先進(jìn)的測(cè)試設(shè)計(jì),使得所涉及芯片的制造測(cè)試、開(kāi)發(fā)和應(yīng)用變得更為容易和便宜。OB2268...[全文]
- Regrcssion應(yīng)用案例2017/11/21 21:10:59 2017/11/21 21:10:59
- Rcgression(凵歸分析)是常用的研究response和hctor之問(wèn)數(shù)量關(guān)系的方法。很多時(shí)TA8429H候,僅有定性的了解(相關(guān)性的強(qiáng)弱)對(duì)于具體問(wèn)題的解決是不夠的,量化的研究分析是必要...[全文]
- 利用wafer map的顏色可以直觀地表現(xiàn)所描述屬性的大小、類(lèi)別2017/11/20 21:06:23 2017/11/20 21:06:23
- 把一組w盯cr的數(shù)據(jù)按wafer,用成行、列的wafermap表示出來(lái),這種方法就是wafermapgallery。TC4S66F利用wafermap的顏色可以直觀地表現(xiàn)所描述屬性的大小、類(lèi)別。...[全文]
- 半導(dǎo)體生產(chǎn)制造中2017/11/20 19:40:36 2017/11/20 19:40:36
- 半導(dǎo)體生產(chǎn)制造中,偶發(fā)事件(設(shè)備故障,或者誤操作等)導(dǎo)致的芯片失效,稱為舁常(excursion)。例如,離子注人劑量控制不穩(wěn),退火t藝的溫度漂移等。SA636DKExcursio...[全文]
- HcI壽命模型2017/11/17 21:43:37 2017/11/17 21:43:37
- 常用的HCI壽命模型有Ib模型,Ib/Id模型及1/Vd模型。Ib模型和Ib/Id模型是建立于一定的⒕條件下可以在Jbˉy#Hh線上找到rb的最大值。UPC1678GV-E1但通常...[全文]
- 失效分析通常得涵蓋一系列系統(tǒng)性2017/11/16 20:58:09 2017/11/16 20:58:09
- 綜上所述.集成電路正向亞微米、深亞微米、多法布線結(jié)構(gòu)的方向發(fā)展。SI6544DQ同20世紀(jì)70年代的約鬲微米技術(shù)相比.失效機(jī)理變得紛繁復(fù)雜,同時(shí)也帶來(lái)一些新的失效因素n新的失效因素不僅對(duì)可靠性產(chǎn)...[全文]
- FIB的原理與SEM相似,2017/11/16 20:16:47 2017/11/16 20:16:47
- FIB的原理與SEM相似,主要差別在于FIB使用離子束作為人射源,ΠB的外加電場(chǎng)作用于液態(tài)金屬離子源,SD6271使液態(tài)金屬或合金形成細(xì)小尖端,再加L負(fù)電場(chǎng)牽引尖端的技術(shù)或合金,導(dǎo)出離子束,通過(guò)...[全文]
- Beams2000型EMMI機(jī)臺(tái),擁有CDD和MCT雙探頭復(fù)合模式和熱紅外模式EMM1平臺(tái)2017/11/14 20:42:39 2017/11/14 20:42:39
- 微光探頭是PEM系統(tǒng)核`b部件,是系統(tǒng)PI74FCT163244A探測(cè)靈敏度的決定因素。在深亞微米技術(shù)領(lǐng)域,隨著設(shè)計(jì)規(guī)則(designrule)及工作電壓(supplyvoltagc)的逐漸減小...[全文]
- Al CMP的方法及使用的研磨液2017/11/11 18:44:08 2017/11/11 18:44:08
- 主流AlCMP一般采用工步研磨法(見(jiàn)圖11.25):QL8X12B-OPF100C第一步:采用研磨粒為之氧化二鋁(A1()3)的研磨液,去除大部分Al金屬層,留下薄而均勻的Al金屬...[全文]
- 大分子離子注入(moIecuIar impIants)2017/11/10 22:12:55 2017/11/10 22:12:55
- 大分子離子注入(moIecuIarimpIants)在注入能量小于lkeV的情況下,現(xiàn)有的離子注入設(shè)備已經(jīng)很難調(diào)出穩(wěn)定的束流來(lái)完成T∶藝需求,OP07CDR哪怕是用較高能量的萃取電...[全文]
- 敘述所設(shè)計(jì)的BCD碼轉(zhuǎn)換電路的工作原理2017/11/9 12:22:41 2017/11/9 12:22:41
- 1．?dāng)⑹鏊O(shè)計(jì)的BCD碼轉(zhuǎn)換電路的工作原理。H0136AB2．完成實(shí)現(xiàn)該電路的HDL程序。3．給出電路的仿真結(jié)果。4．總結(jié)實(shí)驗(yàn)過(guò)程中遇到的問(wèn)題及解決問(wèn)題...[全文]
- 學(xué)習(xí)使用PSpice軟件進(jìn)行原理圖仿真2017/11/9 12:08:35 2017/11/9 12:08:35
- 1．學(xué)習(xí)使用PSpice軟件進(jìn)行原理圖仿真。HM33-10070-TR2．掌握仿真軟件調(diào)整和測(cè)量基本放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)的方法。3．掌握仿真軟件觀察靜態(tài)工作點(diǎn)對(duì)輸出波形...[全文]
- 電子電路的功能全部都是由電子管來(lái)實(shí)現(xiàn)的2017/11/8 12:27:49 2017/11/8 12:27:49
- 如同把橡皮球加熱后會(huì)膨脹一樣，可以想DRV8833PWPR像如果升高金屬的溫度則其自由電子的運(yùn)動(dòng)一定也會(huì)變得活躍起來(lái)。就像宇宙火箭為克服地球的引力而飛出其引力圈，只要有約為llkm/s的速度就足...[全文]
- 氮化硅濕法刻蝕2017/11/6 21:39:12 2017/11/6 21:39:12
- 氮化硅在半導(dǎo)體制程上的生長(zhǎng)方式,象氧化硅一樣,有爐管批和單片化學(xué)氣相沉積(CVD)法,S912XEP100W1MALR主要應(yīng)用是作刻蝕的硬式幕罩或化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)和干刻蝕的停止層,如淺溝槽...[全文]
公網(wǎng)安備44030402000607
