- 集成電路制造中的污染和清洗技術(shù) 2017/11/5 17:21:15 2017/11/5 17:21:15
- 在大規(guī)模集成電路制造中,如晶片L1mm2的區(qū)域,就可制造幾百萬(wàn)顆光學(xué)顯微鏡無(wú)法辨認(rèn)的器件,而各種污染,如顆粒、金屬離子污染、有機(jī)物污染、QT2032-PR7-1A2薄膜污染等,時(shí)刻影響著芯片器件...[全文]
- 兩個(gè)相互交織的線圈與傳統(tǒng)的ICP源一起可以解決很多負(fù)面問(wèn)題2017/11/5 16:54:33 2017/11/5 16:54:33
- 除了在標(biāo)準(zhǔn)的刻蝕機(jī)里的原位灰化,異地灰化「25J是必不可少的,主要用來(lái)完全去除干法刻蝕和離子注人P87C51RB+5A后的光刻膠及其殘余物。圖8.51表示的是兩個(gè)主流灰化機(jī)型的比較:I'am/G...[全文]
- 第一種條紋和第二種條紋對(duì)VBD性能的影響2017/11/4 11:46:51 2017/11/4 11:46:51
- 圖8.35所示為3600個(gè)通孔組成的鏈,用來(lái)對(duì)不同階段條紋進(jìn)行R1測(cè)試c圖8.36所示為VBD的⒈V曲線,在電遷移(EM)測(cè)試中・通孔的尺寸是0,()9×0。O9um`應(yīng)力電流是0...[全文]
- 設(shè)置參數(shù)P03352017/11/3 22:33:28 2017/11/3 22:33:28
- 設(shè)置參數(shù)P0335，確定電動(dòng)機(jī)的冷卻方式。當(dāng)P0335=0時(shí)，為自冷方式；當(dāng)P0335=1時(shí)，GLFR1608T100M-LR為強(qiáng)制冷卻方式；當(dāng)P0335=2時(shí)，為自冷和內(nèi)置風(fēng)機(jī)冷卻方式；當(dāng)P0...[全文]
- 典型365nmi光刻膠的斷面形貌2017/10/30 21:29:21 2017/10/30 21:29:21
- 進(jìn)入了深紫外時(shí)代,如248nm、193nm,由于DNQ膠對(duì)此光波段的強(qiáng)烈吸收,使得人UC2835D射光無(wú)法穿透光刻膠,這將嚴(yán)重影響分辨率。由于需要更加高的分辨率和靈敏度,化學(xué)放大光刻膠(Chem...[全文]
- 硅片平臺(tái)的定標(biāo)工作的目標(biāo)是在硅片平臺(tái)運(yùn)動(dòng)的范圍內(nèi)2017/10/29 14:02:09 2017/10/29 14:02:09
- 硅片平臺(tái)的定標(biāo)工作的目標(biāo)是在硅片平臺(tái)運(yùn)動(dòng)的范圍內(nèi),保證以下的精度:VA033PJ-006NQA(1)在平移(X,y)日寸沒(méi)有轉(zhuǎn)動(dòng)(R/)或者傾斜(Rx,RΥ);(2)...[全文]
- 曝光過(guò)程當(dāng)中產(chǎn)生的缺陷分為非浸沒(méi)式缺陷和浸沒(méi)式缺陷2017/10/29 13:16:20 2017/10/29 13:16:20
- 曝光過(guò)程當(dāng)中產(chǎn)生的缺陷分為非浸沒(méi)式缺陷和浸沒(méi)式缺陷。非浸沒(méi)式缺陷一般為引入的顆粒。V430MA3A當(dāng)然還有從掩膜版的缺陷通過(guò)成像傳遞到硅片~L的缺陷。浸沒(méi)式的缺陷就比較多了。比如由于在光刻膠頂部...[全文]
- 修整烙鐵頭時(shí)需要將烙鐵頭取下2017/10/28 10:39:08 2017/10/28 10:39:08
- 修整烙鐵頭時(shí)需要將烙鐵頭取下,根據(jù)焊接對(duì)象的形狀和焊點(diǎn)的大小,確定烙鐵頭的形狀和粗細(xì),用銼刀銼掉氧化層。修整過(guò)的烙鐵頭要重新鍍錫后才能使用。R10934EC所以當(dāng)電烙鐵較長(zhǎng)時(shí)間不使用時(shí),應(yīng)拔掉電...[全文]
- 電位器可分為線繞電位器和非線繞電位器兩大類(lèi)2017/10/28 10:28:37 2017/10/28 10:28:37
- 根據(jù)所用材料不同,電位器可分為線繞電位器和非線繞電位器兩大類(lèi)。R0600001R/H000GFA(1)線繞電位器額定功率大、噪聲低、溫度穩(wěn)定性好、壽命長(zhǎng);缺點(diǎn)是成本高...[全文]
- 電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)包括模擬電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)和數(shù)字電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)2017/10/27 20:52:21 2017/10/27 20:52:21
- 電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)包括模擬電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)和數(shù)字電子技術(shù)實(shí)驗(yàn),可以分為娃個(gè)層次:基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)、UA710CP綜合性實(shí)驗(yàn)、設(shè)計(jì)性實(shí)驗(yàn)、仿真實(shí)驗(yàn)�；A(chǔ)實(shí)驗(yàn)主要針對(duì)電子技術(shù)本門(mén)學(xué)科范圍內(nèi)理論驗(yàn)證和實(shí)踐...[全文]
- 高寬比/圖形傾倒2017/10/26 21:33:27 2017/10/26 21:33:27
- 高寬比/圖形傾倒(aspectratio/pattern∞llapse):高寬比之所以被討論是由于在顯影過(guò)程中,顯影液、SC1103CS去離子水等在顯影完了后的光刻膠圖形當(dāng)中會(huì)產(chǎn)生由表面張力形成...[全文]
- 光刻膠形貌2017/10/26 21:29:10 2017/10/26 21:29:10
- 光刻膠形貌的異常情況包括側(cè)墻傾斜角,駐波,厚度損失,底部站腳,底部?jī)?nèi)切,T型頂,頂部變圓,SC103116MPVE線寬粗糙度,高寬比/圖形傾倒,底部殘留等。下面我們對(duì)它們逐一進(jìn)行討論,如圖7.3...[全文]
- 在不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)上的典型的對(duì)焦深度要求2017/10/25 21:33:11 2017/10/25 21:33:11
- 如果限定線寬的允許變化范圍為±9nm,那么可以從圖7.17上找出在最佳曝光能量時(shí)的最大允許焦距變化。不僅如此,由于實(shí)際工作中,能量和焦距都是同時(shí)發(fā)生變化,TA75358如光刻機(jī)的漂...[全文]
- 曝光波長(zhǎng)隨工藝節(jié)點(diǎn)的發(fā)展2017/10/25 20:57:39 2017/10/25 20:57:39
- 由于I線步進(jìn)機(jī)的光學(xué)分辨率只能達(dá)到0・25um,對(duì)更高分辨率的要求推動(dòng)了P/N65X2942曝光波長(zhǎng)往更加短波長(zhǎng)發(fā)展,如深紫外(DeepUltraViolct,DUV)光譜段150...[全文]
- 銅互連工藝具有減少工藝步驟20%~30%的潛力2017/10/23 20:52:11 2017/10/23 20:52:11
- 由于銅很難進(jìn)行刻蝕,因此傳統(tǒng)的金屬互連工藝已不再適用,擁有鑲嵌工藝的化學(xué)電鍍成為銅互連的主要制備工藝。與傳統(tǒng)的鋁互連工藝比較,OPA2277UA/2K5銅互連工藝具有減少工藝步驟20%~30%的...[全文]
- 接觸窗薄膜工藝 2017/10/23 20:37:55 2017/10/23 20:37:55
- 接觸窗(contactwindow)由兩部分構(gòu)成,一部分是作為黏合層的Tl/TiN(gluelayer),OPA177GS/2K5另一部分是接觸孔的填充物鎢栓(Wplug)。主要目標(biāo)是在不出現(xiàn)填...[全文]
- 與傳統(tǒng)的PVD相比較,ALPs主要有三個(gè)方面的改進(jìn)以增強(qiáng)臺(tái)階覆蓋率和降低不對(duì)稱(chēng)性2017/10/23 20:36:30 2017/10/23 20:36:30
- 與傳統(tǒng)的PVD相比較,ALPs主要有三個(gè)方面的改進(jìn)以增強(qiáng)臺(tái)階覆蓋率和降低不對(duì)稱(chēng)性。OPA129UB(1)增加硅片和靶材之間的距離(lo呷through),使從靶材上濺射出來(lái)的大角度...[全文]
- 鎳鉑合金沉積2017/10/23 20:34:30 2017/10/23 20:34:30
- 當(dāng)集成電路技術(shù)發(fā)展到65nm以下時(shí),必須使用Nisi1icide。但如果使用純鎳的薄膜作為形成silicide的金屬,由于鎳原子的擴(kuò)散能力很強(qiáng),則會(huì)在源漏極上出現(xiàn)如圖6.12所示的侵蝕(encr...[全文]
- sCoNl反應(yīng)腔的結(jié)構(gòu)2017/10/23 20:29:56 2017/10/23 20:29:56
- pedestal等主要部件。remoteplasma產(chǎn)生器的主要作用是將NF3和NH3的混合氣體在plasma作用下生成活性粒子。l・otshowerhead的溫度為180℃左右,...[全文]
- HKMG(高七介質(zhì)層+金屬柵極)整合工藝2017/10/22 11:24:22 2017/10/22 11:24:22
- HKMG(高七介質(zhì)層+金屬柵極)整合工藝目前在制作HKMG結(jié)構(gòu)晶體管的工藝方面,業(yè)內(nèi)主要存在兩大各自固執(zhí)己見(jiàn)的不同陣營(yíng),TC74HC4075AP分別是以IBM為代表的gatefir...[全文]
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 中頻變壓器(中周線圈)
- 氮化硅濕法刻蝕
- 拉尖是指焊點(diǎn)表面有尖角、毛刺的現(xiàn)象
- n-阱和p-阱的形成
- 自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝
- 激光干涉儀分為單頻激光干涉儀和雙頻激光干
- 工序與工步
- sACVD薄膜生長(zhǎng)的選擇性
- 計(jì)算機(jī)病毒的最終目的就是為了破壞
- 常用電阻器的額定功率及其外形尺寸
IC型號(hào)推薦
- MPC8272CVRTIEA
- MPC8272CZQMIBA
- MPC8272CZQPIEA
- MPC8272CZQTIEA
- MPC8272VRMIBA
- MPC8272VRPIEA
- MPC8272VRTIEA
- MPC8272VRTMFA
- MPC8272ZQMIBA
- MPC8272ZQPIEA
- MPC8272ZQTIEA
- MPC8272ZQTMFA
- MPC8275
- MPC8275C2QIIB
- MPC8275CVRMIBA
- MPC8275CZQ11B
- MPC8275CZQIIB
- MPC8275CZQIIB-200/200/66
- MPC8275CZQMIBA
- MPC8275VRMIB
- MPC8275VRMIBA
- MPC8275VRPI
- MPC8275VRPIE
- MPC8275VRPTE
- MPC8275ZQMIB
- MPC8275ZQMIBA
- MPC8275ZQPHD
- MPC8280CVVQLDA
- MPC8280CVVUPEA
- MPC8280CZUQLD
公網(wǎng)安備44030402000607
