- 有機硅封裝材料一般是由雙組分無色透明的液體狀物質(zhì)組成2016/11/8 21:29:52 2016/11/8 21:29:52
- 有機硅封裝材料一般是由雙組分無色G24102MK-R透明的液體狀物質(zhì)組成,使用時必須按照A∶B=1∶l的比例精確稱量,并且要攪拌使之混合均勻,脫除氣泡后用于點膠封裝,然后將封裝后的器件按照工藝要...[全文]
- Ba2slO4∶001Eu2+的激發(fā)和發(fā)射光譜2016/11/7 21:27:55 2016/11/7 21:27:55
- 早在1968年,Ba邱飛口Blas∞研究Eu2+激活綠色發(fā)光的正硅酸鹽,19”年Fic1“等又AD8598AR對正硅酸鹽的結(jié)構(gòu)進行了詳細(xì)的研究。Ba2s⒑4的結(jié)構(gòu)與肛迤so4相同,屬斜方晶系。S...[全文]
- 摻雜堿土硅酸鹽體系2016/11/7 21:25:50 2016/11/7 21:25:50
- (1)發(fā)展歷史硅酸鹽基質(zhì)熒光體具有良好的化學(xué)和熱穩(wěn)定性,原料價AD8582AR廉易得,一直都是研究的熱點。Zn2so4∶Mn早在1938年在熒光燈中取得應(yīng)用,作為光色校正熒光體,至...[全文]
- 發(fā)光材料的組成2016/11/6 18:05:56 2016/11/6 18:05:56
- 發(fā)光材料是由主體化合物和活性摻雜劑組成的,其中主體化合物稱作發(fā)光材料的基質(zhì)。G48501SN-R在主體化合物中摻入的少量甚至微量的具有光學(xué)活性的雜質(zhì)叫激活劑。發(fā)光材料是由基質(zhì)、激活劑組成。有時還...[全文]
- 倒裝芯片(FC)2016/11/5 19:30:32 2016/11/5 19:30:32
- 倒裝結(jié)構(gòu)芯片(FC,FⅡChip)與正裝芯片的區(qū)別是由芯片背面朝上出光,即藍寶石襯底表面出光(圖5-28所示),而p型G洲層則變成了光反射面,其底部常裝有反光的p極觸片。K3RG2G20BM-M...[全文]
- 掩膜板表面圖形2016/11/5 19:20:32 2016/11/5 19:20:32
- 前烘:使光刻膠的溶劑揮發(fā),用于改善光刻膠與樣品表面的黏附性。前烘是光JANTX2N6849刻的一道關(guān)鍵工序,前烘條件的選擇,對光刻膠溶劑的揮發(fā)量和光刻膠的黏附特性、曝光特性、顯影特性等都有較大的...[全文]
- MOCVD設(shè)備2016/11/5 19:08:38 2016/11/5 19:08:38
- MOCVD設(shè)備是外延材料生長與芯片生產(chǎn)最為關(guān)鍵的設(shè)備,不僅決定LED產(chǎn)品的性能,而且也決定LED產(chǎn)品的性能。JANTX1N829-1一般而言,整體MOCⅤD設(shè)各及外延生長相關(guān)成本占LED生產(chǎn)成本...[全文]
- MBE具有其他外延生長技術(shù)所不具各的諸多特點2016/11/4 21:40:12 2016/11/4 21:40:12
- MBE具有其他外延生長技術(shù)所不具各的諸多特點,包括:①容易形成高純的單晶薄膜,H9TQ64ABJTMCUR-KUM主要由于超高真空系統(tǒng)和高純的前驅(qū)物束流;②分子束外延生長速率慢(約001~1nl...[全文]
- AlGalnP(磷化鋁鎵銦)LED(III-Ⅴ族)2016/11/3 21:43:46 2016/11/3 21:43:46
- AlGaInP半導(dǎo)體材料的化學(xué)式為(A1Ga1~)05h05P,可用于制備高亮度紅光(波長ω5nm)、A1280APG176M橙光(波長610nm)和黃光(波長590nm),是當(dāng)今在這個波長范圍...[全文]
- 機器模式比人體模式的放電電流大很多2016/11/3 21:02:20 2016/11/3 21:02:20
- 人體放電模式是模擬因在地面走動摩擦或其他因素在人體上累積的靜電,當(dāng)去觸碰到LED芯片時,人體上的靜電便會傳遞給芯片,如圖4-38(a)所示。AT24C08N-SI2.7此放電的過程會在短到幾百毫...[全文]
- 計算得到的各層擴展熱阻值及各參數(shù)值2016/11/3 20:58:21 2016/11/3 20:58:21
- 峨為與材料尺寸、熱導(dǎo)率、初始邊界條件相關(guān)的量。表4.10為計算得到的各層擴展熱阻值及各參數(shù)值.表中傷、乙分別AN7805為由圖⒋37和表⒋9所示方形芯片和方形熱沉模型等效為園模型后...[全文]
- 顯色指數(shù) 2016/11/2 22:40:34 2016/11/2 22:40:34
- 顯色性反映了在某種光源照射下物體顏色的還原程度,是表征光源質(zhì)量的一個重要參數(shù),用顯色指數(shù)表征。不同的環(huán)境對光源的顯色性要求不同,如表4.3所示。LM3478MM一般來講,室內(nèi)照明對顯色性的要求高...[全文]
- 照明用白光發(fā)光二極管的特征參數(shù)與要求 2016/11/2 22:33:07 2016/11/2 22:33:07
- 照明用LED的輻射波長范圍為380~78OIlm的可見光,采用光度學(xué)和色度學(xué)討論其光電色參數(shù)更為合適。主要包括光通量、光強、色溫、顯色指數(shù)等。光通量光通量表示光源提供...[全文]
- 輻射波長與結(jié)溫的關(guān)系2016/11/2 21:57:44 2016/11/2 21:57:44
- LED輻射波長的變化會影響LED的使用效果。在顯示領(lǐng)域,波長變化會導(dǎo)致全彩顯示控制困難,LM324MX色彩失真;在自光照明領(lǐng)域,它會使白光色坐標(biāo)和色溫發(fā)生變化。因此,在LED應(yīng)用中必須考慮其輻射...[全文]
- 同質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管具有結(jié)構(gòu)簡單2016/11/1 20:56:10 2016/11/1 20:56:10
- 同質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管具有結(jié)構(gòu)簡單、制作容M48T02-100PC1易等優(yōu)點,但現(xiàn)在幾乎不再實際使用,主要原因如下:正向偏壓下的過剩少子將會繼續(xù)擴散,其程度由電子擴散長度Ze與空穴擴散長...[全文]
- 直接帶隙與間接帶隙半導(dǎo)體 2016/10/31 20:15:34 2016/10/31 20:15:34
- 直接帶隙半導(dǎo)體材料就是導(dǎo)帶最小值(導(dǎo)帶底)和價帶最大值在庀空間中同一位置。AD8607ARZ電子要躍遷到導(dǎo)帶上產(chǎn)生導(dǎo)電的電子和空穴(形成半滿能帶)只需要吸收能量。直接帶隙半導(dǎo)體的重要性質(zhì):當(dāng)價帶...[全文]
- 受主雜質(zhì)和受主能級2016/10/30 18:04:11 2016/10/30 18:04:11
- 從一個硅原子之間的共價鍵中取出一個電子放入硅和硼之間的共價鍵中去,所需的能量很小,MA110Z這個能量就是硼原子的電離能。能夠從價帶中接受電子的雜質(zhì),稱為受主雜質(zhì)。受主能級的位置在...[全文]
- 描寫晶面取向的一組數(shù)稱為晶面指數(shù)2016/10/30 17:07:38 2016/10/30 17:07:38
- 描寫晶面取向的一組數(shù)稱為晶面指數(shù),也常被M59MR032C120GC6稱為密勒(MiⅡcr)指數(shù),如圖3-4所示。晶面指數(shù)標(biāo)定步驟如下:①建立一組以晶軸夕,3...[全文]
- 色度學(xué)系統(tǒng)2016/10/29 19:51:41 2016/10/29 19:51:41
- 國際照明委員會(法文縮寫為CIE)曾推薦了幾種色度學(xué)系統(tǒng),以統(tǒng)一顏色的表示方法和測量條件。AAT3218IGV-1.2-T1國際照明委員會在1931年同時推薦了兩套標(biāo)準(zhǔn)色度學(xué)系統(tǒng):1931CIE...[全文]
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