當(dāng)晶圓廠最后一道鈍化膜及合金工序完成后，電路部分就算完成了。然而， TMS320DM642AZDK7晶圓在轉(zhuǎn)到封裝廠之前還需要對(duì)其進(jìn)行一到兩步處理。即晶圓減薄和背面鍍金，這兩步不是必須的，視晶圓的厚度和特殊的電路設(shè)計(jì)而定。

   晶圓減薄：晶圓級(jí)工藝使用凸點(diǎn)或焊球鍵合工藝。在通常晶圓制造工藝的最后，焊球被鍵合到芯片鍵合壓點(diǎn)上。這種工藝將在18.4.6節(jié)敘述。

   晶圓逐漸增厚的趨勢(shì)給封裝工藝帶來(lái)一系列問(wèn)題。增厚的晶片在劃片工序需要更昂貴的完全劃開(kāi)的方法。盡管劃片刀可以劃出更高質(zhì)量的芯片邊緣，但耗時(shí)長(zhǎng)且消耗頂端鑲有鉆石的劃片刀使得此工藝極其昂貴。增厚的芯片同時(shí)需要更深一些的貼片凹腔，使得封裝更為昂貴。劃片前如將晶圓減薄，就可以解決以上兩個(gè)問(wèn)題。

   另一個(gè)需要晶圓減薄的情況是電特性的要求。當(dāng)晶圓通過(guò)晶圓廠的摻雜工序時(shí)，晶圓的背面沒(méi)有被保護(hù)起來(lái)，摻雜劑會(huì)在晶圓的背部形成電的結(jié)，這樣就會(huì)影響一些要求背面?zhèn)鲗?dǎo)性好的電路的正常運(yùn)行。這些結(jié)可以通過(guò)晶圓減薄來(lái)去除。并且，晶圓級(jí)和三維封裝要求更薄的晶圓以免封裝體更厚并提高屯性能。